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Preparation of Semiconductor Field Effect Transistor for electron spin controlling using magneto-electric effect and exchange interaction

Preparation of Semiconductor Field Effect Transistor for electron spin controlling using magneto-electric effect and exchange interaction
利用磁电效应和交换相互作用控制电子自旋的半导体场效应晶体管的制备
批准号：
20760197
负责人：
YOKOTA Takeshi
金额：
$2.83万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760197/
关键词：
電子・電気材料電気磁気効果磁気抵抗MISキャパシタスピントロニクス

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This research was focused on an controlling of spins in semiconductor using magneto-electric (ME) material : Cr_2_O3, which can be controlled their magnetic or ferroelectric properties can be controlled by an external electric or magnetic field. In this purpose, we prepared Cr_2O_3/ferromagnetic/CeO_2/Si MIS capacitor. We revealed that the capacitor can be controlled an amount of injected charge depending on an external magnetic and electric field applying.
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Relationships between negative differential resistances and resistance switching properties of SrFeO2+x thin films with excess oxygen
过量氧下SrFeO2x薄膜的负微分电阻与电阻切换特性的关系
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Electroceramics in Japan XIII, Key Engineering Materials 157
影响因子： --
作者： [Takeshi Yokota, S. Kito, Y. Tsuboi, S. Murata, M. Gomi]
通讯作者： M. Gomi
Cr2O3/強誘電体/Cr2O3/積層膜をゲートとするSi-MISキャパシタの磁気・誘電特性
Cr2O3/铁电体/Cr2O3/叠层薄膜作为栅极的Si-MIS电容器的磁介电性能
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [村田章太郎, 横田壮司, 横田壮司]
通讯作者： 横田壮司
ハーフメタルをフィルタ層とするフローティングゲート型Si-MISキャパシタにおける誘電特性
半金属滤波层浮栅Si-MIS电容器的介电特性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [村田章太郎, 横田壮司, 横田壮司, 横田壮司, 横田壮司]
通讯作者： 横田壮司
Resistance Changes of (La, Sr) MnO_3 Thin Film via Exchange Bias Tuning by the Application of an External Electric Field
施加外部电场通过交换偏置调节(La,Sr)MnO_3薄膜的电阻变化
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [村田章太郎, 横田壮司, Takeshi Yokota, Takeshi Yokota, Takeshi Yokota]
通讯作者： Takeshi Yokota
共 43 条
    Preparation of engineered multiferroic material showing enhanced magneto-electric effect
    • 批准号：
      23686094
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $17.97万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      YOKOTA Takeshi
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    海外基金