Preparation of Semiconductor Field Effect Transistor for electron spin controlling using magneto-electric effect and exchange interaction

利用磁电效应和交换相互作用控制电子自旋的半导体场效应晶体管的制备

基本信息

  • 批准号:
    20760197
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This research was focused on an controlling of spins in semiconductor using magneto-electric (ME) material : Cr_2_O3, which can be controlled their magnetic or ferroelectric properties can be controlled by an external electric or magnetic field. In this purpose, we prepared Cr_2O_3/ferromagnetic/CeO_2/Si MIS capacitor. We revealed that the capacitor can be controlled an amount of injected charge depending on an external magnetic and electric field applying.
本研究主要研究了利用磁电材料Cr2O3来控制半导体中的自旋,这种材料的磁性或铁电性质可以通过外加电场或磁场来控制。为此,我们制备了Cr_2O_3/铁磁/CeO_2/Si MIS型电容器。我们发现,根据施加的外加磁场和电场,电容器可以控制一定的注入电荷量。

项目成果

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专利数量(0)
Relationships between negative differential resistances and resistance switching properties of SrFeO2+x thin films with excess oxygen
过量氧下SrFeO2x薄膜的负微分电阻与电阻切换特性的关系
Cr2O3/強誘電体/Cr2O3/積層膜をゲートとするSi-MISキャパシタの磁気・誘電特性
Cr2O3/铁电体/Cr2O3/叠层薄膜作为栅极的Si-MIS电容器的磁介电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村田章太郎;横田壮司;横田壮司
  • 通讯作者:
    横田壮司
ハーフメタルをフィルタ層とするフローティングゲート型Si-MISキャパシタにおける誘電特性
半金属滤波层浮栅Si-MIS电容器的介电特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村田章太郎;横田壮司;横田壮司;横田壮司;横田壮司
  • 通讯作者:
    横田壮司
Resistance Changes of (La, Sr) MnO_3 Thin Film via Exchange Bias Tuning by the Application of an External Electric Field
施加外部电场通过交换偏置调节(La,Sr)MnO_3薄膜的电阻变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村田章太郎;横田壮司;Takeshi Yokota;Takeshi Yokota;Takeshi Yokota
  • 通讯作者:
    Takeshi Yokota
Influence of an external magnetic field on injected charges of a Cr_2O_3/Fe/CeO_2/Si MIS capacitor
外部磁场对Cr_2O_3/Fe/CeO_2/Si MIS电容器注入电荷的影响
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