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Preparation of engineered multiferroic material showing enhanced magneto-electric effect

Preparation of engineered multiferroic material showing enhanced magneto-electric effect
具有增强磁电效应的工程多铁材料的制备
批准号：
23686094
负责人：
YOKOTA Takeshi
金额：
$17.97万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23686094/
关键词：
電気磁気効果マルチフェロイックエピタキシャル成長磁性誘電性スピントロニクストンネル効果薄膜結晶成長交換相互作用

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This research was focused on a preparation of artificial magneto-electric materials, which can be controlled their magnetic or ferroelectric properties can be controlled by an external electric or magnetic field, prepared using thin film crystal growth technics. In this purpose, we prepared Cr2O3/LiNbO3/Cr2O3 epitaxial multilayer. We revealed that magnetic or electric properties of the multilayer can be controlled by an external electric or magnetic field. The tenability is about 6 times larger than that of Cr2O3 film.
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会议论文
Electric and Magneto-electric Properties of Cr2O3 Thin Films
Cr2O3 薄膜的电学和磁电性能
DOI： --
发表时间： 2014
期刊： e-journal of Surface Science and Nanotechnology
影响因子： 0.7
作者： [K. Ichikawa, T.Yokota, M. Gom]
通讯作者： M. Gom
Epitaxial growth of magneto-electric multilayer : Cr_2O_3/LiNbO_3/ Cr_2O_3 thin films
磁电多层膜的外延生长：Cr_2O_3/LiNbO_3/ Cr_2O_3薄膜
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yokota, K. Ichikawa, and M. Gomi]
通讯作者： and M. Gomi
The relatioship between Seebeck coefficient and Conductivity of A-site doped BiFeO_3 bulk ceramic
A位掺杂BiFeO_3块体陶瓷塞贝克系数与电导率的关系
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Ichikawa, T. Yokota, R. Imura, A. Osvet, M. Batentchuk, M. Gomi, C. J.Brabec]
通讯作者： C. J.Brabec
電気磁気効果物質Cr2O3薄膜のエピタキシャル成長及びその電気磁気特性
电磁效应材料Cr2O3薄膜的外延生长及其电磁性能
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [市川　幸治, 横田　壮司, 五味　學]
通讯作者： 五味　學
共 52 条
    Preparation of Semiconductor Field Effect Transistor for electron spin controlling using magneto-electric effect and exchange interaction
    • 批准号：
      20760197
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      YOKOTA Takeshi
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    海外基金