Oberflächenbindung und Adsorptionskinetik an Siliziumoberflächen und Grenzflächen

硅表面和界面上的表面结合和吸附动力学

• 批准号: 5377789
• 负责人: Professor Dr. Alexander Föhlisch
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentalphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5377789?language=en
• 关键词: Oberfl; chenbindung; und; Adsorptionskinetik; Siliziumoberfl

Die elektronische Struktur von Adsorbaten auf Siliziumoberflächen und damit verbundene Siliziumgrenzflächen soll durch die Kombination von Nahkantenröntgenabsorptionsspektroskopie (NEXAFS/XANES) und resonanter Röntgenemissionspetroskopie (RIXS) am Synchrotron und durch elektronenstoßinduzierte Röntgenemission im Labor untersucht werden. Die Anwendung der Röntgenemissionsspektroskopie auf molekulare Adsorbate hat eine grundlegende Neuinterpretation der Oberflächenbindung auf Übergangsmetallen bewirkt. Die erstmalige Anwendung dieser Methode auf Adsorbate an Halbleiteroberflächen hat das Potential eine vergleichbare Neubewertung der Oberflächenbindung für diese Systeme zur Folge zu haben. Die geplanten Untersuchungen gliedern sich in zwei Teilprojekte: Zum einen soll die elektronische Struktur von molekularen Adsorbaten auf der eindomänigen 4° vicinal geschnittenen Si(100) Oberfläche durch Nahkantenröntgenabsorption und Röntgenemission bestimmt werden und zusätzlich soll die Adsorptionskinetik dieser Systeme mittels thermischer Desorptionsspektroskopie untersucht werden. Zum anderen soll die elektronische Struktur von metallischen Adsorbaten auf der eindomänigen Si(100) Oberfläche und von verborgenen Metall/Silizium Grenzflächen untersucht werden. Hierzu kommt gemeinsam mit den Synchrotronstrahlungsmethoden elektronenstoßinduzierte Röntgenemissionspektroskopie im Labor zum Einsatz. Weiterhin soll durch die Anwendung des magnetischen Zirkulardichroismus die Metall/Silizium Grenzfläche unter dem Aspket der Spininjektion untersucht werden.

Siliziumoberflachen 吸附的电子结构和 siliziumgrenzflächen 的电子结构可以通过 NEXAFS/XANES 和同步加速器和谐振 RIXS 的组合来实现 durch elektronenstoßinduzierte Röntgenemission im Labor untersucht werden。吸附分子的分子发射光谱的研究是对上层金属结合的新解释。在此之前，我们采用了吸附方法，将其潜在的潜力与新的系统结合起来。 Die geplanten Untersuchungen gliedern sich in zwei Teilprojekte: Zum einen soll die elektronische Struktur von molecularkularen Adsorbaten auf der eindomänigen 4° vicinal geschnittenen Si(100) Oberfläche durch Nahkantenröntgenabsorbation und Röntgenemission 最好的吸附和吸附系统是在吸附过程中进行热解吸附的。 Zum anderen soll die elektronische Struktur von metallischen Adsorbaten auf der eindomänigen Si(100) Oberfläche und von verborgenen Metall/Silizium Grenzflächen undersucht werden. Hierzu kommt gemeinsam mit den Synchrotronenstrahlungsmethoden elektronenstoßinduzierte Röntgenemission spektroskopie im Labor zum Einsatz. Weiterhin soll durch die Anwendung desMagneticschen Zirkulardichroismus die Metall/Silizium Grenzfläche unter dem Spininjektion undersucht werden。