Oberflächenbindung und Adsorptionskinetik an Siliziumoberflächen und Grenzflächen

Die elektronische Struktur von adhesen auf Siliziumoberflächen und damit verbundene Siliziumgrenzflächen soll durch Die combination von Nahkantenröntgenabsorptionsspektroskopie （NEXAFS/XANES）和resonanter Röntgenemissionspetroskopie (RIXS) am Synchrotron and durch elektronenstoß industrizierte Röntgenemission im Labor untersucht werden。Die Anwendung der Röntgenemissionsspektroskopie auf分子吸附物即eine grundlegende Neuinterpretation der Oberflächenbindung auf Übergangsmetallen bewirkt。1 .吸附物与吸附物的吸附方法与Halbleiteroberflächen，《Potential einevergleichbertung and Neubewertung and Oberflächenbindung fdr system zur Folge zu haben》。Die geplanten Untersuchungen gliedern sich in zwei Teilprojekte: Zum einen soll Die elektronische structur von molecularen absorbaten auder eindomänigen 4°vicinal geschnittenen Si(100) Oberfläche durch Nahkantenröntgenabsorption and Röntgenemission beestimme werden and zusätzlich soll Die absorptionskinetik dieser Systeme mitteles thermischer desorptionsspektroskie untersucht werden。Zum anderen soll die elektronische Struktur von metallischen Adsorbaten auder eindomänigen Si(100) Oberfläche and von verborgenen metallic /Silizium Grenzflächen untersucht werden。同步加速器与电子加速器的结合与同步加速器与电子加速器的结合：Röntgenemissionspektroskopie in Labor zum Einsatz。金属/硅酸盐：金属/硅酸盐：金属/硅酸盐：金属/硅酸盐：金属/硅酸盐：金属/硅酸盐

Die elektronische Struktur von Adsorbaten auf Siliziumoberflächen und damit verbundene Siliziumgrenzflächen soll durch die Kombination von Nahkantenröntgenabsorptionsspektroskopie (NEXAFS/XANES) und resonanter Röntgenemissionspetroskopie (RIXS) am Synchrotron und durch elektronenstoßinduzierte Röntgenemission im Labor untersucht werden. Die Anwendung der Röntgenemissionsspektroskopie auf molekulare Adsorbate hat eine grundlegende Neuinterpretation der Oberflächenbindung auf Übergangsmetallen bewirkt. Die erstmalige Anwendung dieser Methode auf Adsorbate an Halbleiteroberflächen hat das Potential eine vergleichbare Neubewertung der Oberflächenbindung für diese Systeme zur Folge zu haben. Die geplanten Untersuchungen gliedern sich in zwei Teilprojekte: Zum einen soll die elektronische Struktur von molekularen Adsorbaten auf der eindomänigen 4° vicinal geschnittenen Si(100) Oberfläche durch Nahkantenröntgenabsorption und Röntgenemission bestimmt werden und zusätzlich soll die Adsorptionskinetik dieser Systeme mittels thermischer Desorptionsspektroskopie untersucht werden. Zum anderen soll die elektronische Struktur von metallischen Adsorbaten auf der eindomänigen Si(100) Oberfläche und von verborgenen Metall/Silizium Grenzflächen untersucht werden. Hierzu kommt gemeinsam mit den Synchrotronstrahlungsmethoden elektronenstoßinduzierte Röntgenemissionspektroskopie im Labor zum Einsatz. Weiterhin soll durch die Anwendung des magnetischen Zirkulardichroismus die Metall/Silizium Grenzfläche unter dem Aspket der Spininjektion untersucht werden.