Electronic and magnetic control of the Kondo effect and interference effects in metal quantum structures

金属量子结构中近藤效应和干涉效应的电子和磁控制

• 批准号: 21510110
• 负责人: UCHIHASHI Takashi
• 金额: $ 3万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21510110/
• 关键词: ナノ構造物性; 近藤効果; 量子井戸; 量子干渉効果; RKKY相互作用; ファノ効果; 量子多体効果

We have studied quantum well structures such as metal multi-layers and wire-like metal structures, by which the Kondo effect can be modulated and controlled. For metal multi-layers, we have found that the energy levels of quantum well states change systematically as a function of the width of the quantum well, and that the Kondo temperature and Fano's asymmetric parameter changes in accordance with it. We have also studied in detailed striped noble-metal film as a candidate for a wire-like metal structure. They were fabricated using a one-dimensional silicon surface reconstruction as a template. It was revealed that, due to the stacking fault arrays present in the striped film, the electrons in surface states are strongly confined and forms one-dimensional electronic states.

我们已经研究了量子阱结构，如金属多层膜和线状金属结构，通过它们可以调制和控制Kondo效应。对于金属多层膜，我们发现量子阱态的能级随量子阱宽度的变化而系统地变化，Kondo温度和Fano非对称参数也随量子阱宽度的变化而变化，我们还详细地研究了条状贵金属膜作为线状金属结构的候选材料。它们是使用一维硅表面重建作为模板制造的。结果表明，由于存在于条纹膜中的堆垛层错阵列，在表面态的电子被强烈限制，并形成一维电子态。

项目成果

シリコン表面超構造Si(111)-(R7xR3)-Inにおける超伝導電流の観測

硅表面超结构Si(111)-(R7xR3)-In中超导电流的观测

• 发表时间: 2011
• 作者: Je-Deok;KIM;W.Soliman;内橋隆
• 通讯作者: 内橋隆

Self-Aligned Cobalt Atoms on Indium Atomic Wires Trough Substrate-Mediated Interaction

通过基底介导的相互作用在铟原子线上自对准钴原子

• 发表时间: 2009
• 作者: Canhua Liu;Takashi Uchihashi;Tomonobu Nakayama
• 通讯作者: Tomonobu Nakayama

シリコン表面超構造における超伝導電流(シンポジウム講演)

硅表面上层结构中的超导电流（研讨会讲座）

• 发表时间: 2011
• 作者: R. Shioya;T. Yoshimura;T.Nakano;内橋隆
• 通讯作者: 内橋隆

Si(111)-(√<7>×√<3>)-In表面における超伝導電流の観測

Si(111)-(√<7>×√<3>)-In表面超导电流的观测

• 发表时间: 2011
• 作者: 内橋隆;Puneet Mishra;青野正和;中山知信
• 通讯作者: 中山知信

磁性多層膜のスピヒ偏極イメージングを目的としたSTM探針作製

用于磁性多层薄膜 Spich 偏振成像的 STM 探针的制作

• 发表时间: 2010
• 作者: Puneet Mishra;内橋隆、 中山知信
• 通讯作者: 内橋隆、 中山知信