Spingalvanic effect

自旋电效应

• 批准号: 5379173
• 负责人: Professor Dr. Wilhelm Prettl
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle und Angewandte Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5379173?language=en
• 关键词: Spingalvanic; effect

In diesem Projekt soll der spingalvanische Effekt, eine neue Klasse von Transportphänomenen in Halbleitern, untersucht werden. Dieser Effekt basiert auf einer bisher nicht bekannten Eigenschaft eines spinpolarisierten Elektronengases: bei geeigneter Symmetrie ist mit einer Spinpolarisation ein elektrischer Strom verbunden, dessen Richtung von der Orientierung der Spins bestimmt wird. Während elektrische Ströme üblicherweise durch Gradienten von Potentialen, von Ladungsträgerdichten oder der Temperatur erzeugt werden, treibt beim spingalvanischen Effekt eine räumlich homogene Spinpolarisation einen elektrischen Strom an. Bei diesem Vorhaben soll ein detailliertes mikroskopisches Bild des spingalvanischen Effekts durch experimentelle Untersuchungen an GaAs und InAs Quantentrögen gewonnen werden. Die Spinorientierung soll mittels optischer Methoden hergestellt werden. Die Polarisation der Spins soll dann mit Hilfe eines starken äußeren magnetischen Feldes in gewünschte Richtungen, bei der der spingalvanische Effekt auftritt, gedreht werden. Weiterhin soll versucht werden, den spingalvanischen Effekt bei elektrisch injizierten Spinpolarisationen nachzuweisen. Mit Hilfe des kürzlich beobachteten Hanle-Effektes im spingalvanischen Strom sollen Spinrelaxationszeiten für unterschiedliche niederdimensionale III-V-Strukturen, die für eine Spinelektronik bedeutsam sein könnten, bestimmt werden.

在这一项目中，一个新的运输系统在Halbleitern，使用了韦尔登。这种效应基于一个更小的值，但并不意味着自旋极化的电子本征值：在具有自旋极化的电子对称性中，自旋取向的结果将被估计。通过电位、电流或温度的变化，产生的电强度增强，三种自旋极化效应均质，即电强度增强。通过对GaAs和InAs量子阱韦尔登的实验研究，获得了一幅详细的自旋极化效应的微幅图像。旋转定向必须采用最佳方法，这是韦尔登的方法。自旋极化将在自旋极化效应的作用下，通过磁场的作用，产生韦尔登。在电致自旋极化过程中，自旋极化的电致自旋效应会导致韦尔登。Mit Hilfe des kürzlich beobachteten Hanle-Effektes im spingalvanischen Strom sollen Spinrelaxationszeiten für unterschedliche niederdimensional III-V-Strukturen，die für eine Spinelektronik bedeutsam sein könnten，bestimmt韦尔登.