Einfluß eines magnetischen Feldes auf das Tunneln in hochfrequenten Feldern in Halbleitern

磁场对半导体高频场中隧道效应的影响

• 批准号: 5192038
• 负责人: Professor Dr. Wilhelm Prettl
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle und Angewandte Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5192038?language=en
• 关键词: Einflu; eines; magnetischen; Feldes; auf

Bei diesem Vorhaben soll der Effekt eines magnetischen Feldes auf das Tunneln von Ladungsträgern durch Potentialbarrieren in hochfrequenter Strahlung untersucht werden, wobei das elektrische Feld der Strahlung sowohl die Barriere erzeugt als auch das Tunneln initiiert. Der Effekt eines äußeren magnetischen Feldes auf das Tunneln soll für den quasistatischen Grenzfall wt < 1 und den hochfrequenten Fall wt größer als 1 untersucht werden, wobei w die Strahlungsfrequenz und t die Tunnelzeit ist. Da ein geeignet orientiertes magnetisches Feld die Trajektorie des Ladungsträgers auch während des Tunnelns beeinflussen sollte, erwarten wir mit diesen Untersuchungen eine Fundierung der Vorstellung des Tunnelns in alternierenden Feldern und einen neuen experimentellen Zugang zum Verständnis der kürzlich beobachteten Zunahme der Tunnelwahrscheinlichkeit bei hohen Frequenzen. Die Experimente sollen beispielshaft an tiefen Störstellen in Halbleitern durchgeführt werden. Tiefe Störstellen sind sehr gut geeignet Tunnelphänomene zu studieren, da als Folge der Elektron-Phonon Wechselwirkung die Tunnelzeiten und somit die Tunnelwahrscheinlichkeit in einfacher Weise mit der Temperatur kontrolliert werden kann.

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