Observation and control of heteroepitaxy on Si substrate by in situ X-ray diffraction

原位X射线衍射观察与控制硅衬底异质外延

基本信息

  • 批准号:
    21560007
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2011
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Initial stages of reactive deposition epitaxy of FeSi2 on Si(001)were observed by in situ X-ray diffraction. At 450℃, nitially nano-crystallites of α-FeSi2 high-temperature phase are formed. With increasing thickness of the deposited Fe, the α-FeSi2 crystallites gradually disappear and β-FeSi2, which is the stable phase at the growth temperature, supersedes them completely. The α-axis of the β-FeSi2 film aligns to the Si[001] axis during annealing up to 900℃.
用原位X射线衍射观察了FeSi_2在Si(001)上反应沉积外延的初始阶段。在450℃时,α-FeSi 2高温相形成了纳米微晶。随着Fe沉积厚度的增加,α-FeSi 2微晶逐渐消失,在生长温度下稳定的β-FeSi 2相完全取代了α-FeSi 2微晶。退火至900℃时,β-FeSi_2薄膜的α轴与Si[001]轴取向一致。

项目成果

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专利数量(0)
β-FeSi2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折: α-FeSi2の成長と消滅
β-FeSi2/Si(001)热反应沉积生长的原位X射线衍射:α-FeSi2的生长和湮灭
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    花田貴;田尻寛男;坂田修身;松岡隆志
  • 通讯作者:
    松岡隆志
β-FeSi_2/Si(001)熱反応堆積成長のその場X線回折:α-FeSi_2の成長と消滅
β-FeSi_2/Si(001)热反应沉积生长的原位X射线衍射:α-FeSi_2的生长和湮灭
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Didane;R.P. Ortiz;J. Zhang;K. Aosawa;T. Tanisawa;H. Aboubakr;F. Fages;J. Ackermann;N. Yoshimoto;H Brisset;C. Videlot-Ackermann;花田貴
  • 通讯作者:
    花田貴
Reactive Deposition Epitaxy of β-FeSi_2 Islands on Si(001) Observed by in situ X-Ray Diffraction
原位X射线衍射观察Si(001)上β-FeSi_2岛的反应沉积外延
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    安藤幸治、山中孝彦、岡本茂;ほか;笹倉弘理;Seiji Mizuno;花田貴
  • 通讯作者:
    花田貴
Reactive Deposition Epitaxy of α-FeSi2 Islands on Si(001)Observed by in situ X-Ray Diffraction
原位X射线衍射观察α-FeSi2岛在Si(001)上的反应沉积外延
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Hanada;H. Tajiri;O. Sakata;and T. Matsuoka
  • 通讯作者:
    and T. Matsuoka
BL13XUの超高真空X線回折装置による半導体薄膜に関する最近の成果
使用BL13XU超高真空X射线衍射装置在半导体薄膜上取得的最新成果
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    C. P. Gomez;H. Takakura;A. Yamamoto;A. P. Tsai;花田貴
  • 通讯作者:
    花田貴
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  • 通讯作者:
    豊田 智史

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