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Growth of GaN thin film and fabrication of vertical light emitting diode using CrN nano-crystalline buffer layer

GaN薄膜的生长及CrN纳米晶缓冲层垂直发光二极管的制作

基本信息

批准号：
19560008
负责人：
HANADA Takashi
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
起止时间：
2007 至 2008
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560008/
关键词：
薄膜成長光素子窒化物半導体

项目摘要

サファイヤc面基板上に高品質GaNを成長するためCrNバッファ層を導入した。CrN層は過塩素酸ベースの混合溶液で選択的に化学エッチングされ、GaN自立膜を基板からケミカルリフトオフ(CLO)できた。CLOプロセスによるダメージの導入はなく、縦型GaN-LEDを作製し電流注入発光を観測した。CLOにより複数基板からのLED剥離は一括処理でき、基板は再利用できるため、従来のGaN-LED作製法に比べ大幅なコスト低減が可能となる。

High quality GaN is grown on a substrate. CrN layer is composed of peroxy acid and mixed solution, and GaN free-standing film is composed of two layers. CLO's current injection and light emission measurements are performed on the GaN-LED. CLO is a process for the removal of LEDs from multiple substrates, and the reuse of substrates.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Lattice strain in bulk GaN epilayers grown on CrN/sapphire template

DOI：
10.1063/1.3086890
发表时间：
2009-02-23
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Lee, S. W.;Ha, Jun-Seok;Yao, T.
通讯作者：
Yao, T.

The fabrication of vertical light-emitting diodes using chemical lift-off process

DOI：
10.1109/lpt.2007.912491
发表时间：
2008-01-01
期刊：
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
影响因子：
2.6
作者：
Ha, Jun-Seok;Lee, S. W.;Yao, T.
通讯作者：
Yao, T.

The Realization of Vertical Light Emitting Diodes (V-LEDs) Using Chemical Lift-off (CLO) Processes

使用化学剥离 (CLO) 工艺实现垂直发光二极管 (V-LED)

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. W. Lee;et. al.
通讯作者：
et. al.

Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emittins devices

GaN基发光器件漏电流与位错关系分析

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
Phys. stat. sol. (c) 4
影响因子：
0
作者：
S. W. Lee;et. al.
通讯作者：
et. al.

Crystallo -graphic Investigation of Nitride C- Sapphire Substrate by Grazing Incidence X-ray Diffraction and Transmission Electron Microscopy

通过掠入射X射线衍射和透射电子显微镜研究氮化物C-蓝宝石衬底的晶体学研究

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Lee;J. S. Ha;S. K. Hong;S. W. Lee;H. J. Lee;S. H. Lee;T. Minegishi;T. Hanada;M. W. Cho;and T. Yao
通讯作者：
and T. Yao

DOI：
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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
TOYODA Satoshi;YAMAMOTO Tomoki;YOSHIMURA Masashi;SUMIDA Hirosuke;MINEOI Susumu;MACHIDA Masatake;YOSHIGOE Akitaka;SUZUKI Satoru;YOKOYAMA Kazushi;OHASHI Yuji;KUROSAWA Shunsuke;KAMADA Kei;SATO Hiroki;YAMAJI Akihiro;YOSHINO Masao;HANADA Takashi;YOKOTA Yuui;YO;豊田智史
通讯作者：
豊田智史