Growth of GaN thin film and fabrication of vertical light emitting diode using CrN nano-crystalline buffer layer
Growth of GaN thin film and fabrication of vertical light emitting diode using CrN nano-crystalline buffer layer
批准号:
19560008
负责人:
HANADA Takashi
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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英文摘要
サファイヤc面基板上に高品質GaNを成長するためCrNバッファ層を導入した。CrN層は過塩素酸ベースの混合溶液で選択的に化学エッチングされ、GaN自立膜を基板からケミカルリフトオフ(CLO)できた。CLOプロセスによるダメージの導入はなく、縦型GaN-LEDを作製し電流注入発光を観測した。CLOにより複数基板からのLED剥離は一括処理でき、基板は再利用できるため、従来のGaN-LED作製法に比べ大幅なコスト低減が可能となる。
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DOI:
10.1063/1.3086890
发表时间:
2009-02-23
期刊:
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子:
4
作者:
[Lee, S. W., Ha, Jun-Seok, Yao, T.]
通讯作者:
Yao, T.
DOI:
10.1109/lpt.2007.912491
发表时间:
2008-01-01
期刊:
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
影响因子:
2.6
作者:
[Ha, Jun-Seok, Lee, S. W., Yao, T.]
通讯作者:
Yao, T.
The Realization of Vertical Light Emitting Diodes (V-LEDs) Using Chemical Lift-off (CLO) Processes
使用化学剥离 (CLO) 工艺实现垂直发光二极管 (V-LED)
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. W. Lee, et. al.]
通讯作者:
et. al.
Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emittins devices
GaN基发光器件漏电流与位错关系分析
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Phys. stat. sol. (c) 4
影响因子:
--
作者:
[S. W. Lee, et. al.]
通讯作者:
et. al.
Crystallo -graphic Investigation of Nitride C- Sapphire Substrate by Grazing Incidence X-ray Diffraction and Transmission Electron Microscopy
通过掠入射X射线衍射和透射电子显微镜研究氮化物C-蓝宝石衬底的晶体学研究
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H. J. Lee, J. S. Ha, S. K. Hong, S. W. Lee, H. J. Lee, S. H. Lee, T. Minegishi, T. Hanada, M. W. Cho, and T. Yao]
通讯作者:
and T. Yao
Establishment of accuracy management system in IMRT QA/QC using organic phosphor
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批准号:24791336
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.58万
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财政年份:2012
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负责人:HANADA Takashi
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依托单位:
Observation and control of heteroepitaxy on Si substrate by in situ X-ray diffraction
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批准号:21560007
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.24万
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财政年份:2009
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负责人:HANADA Takashi
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依托单位:
海外基金