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Growth of GaN thin film and fabrication of vertical light emitting diode using CrN nano-crystalline buffer layer

Growth of GaN thin film and fabrication of vertical light emitting diode using CrN nano-crystalline buffer layer
GaN薄膜的生长及CrN纳米晶缓冲层垂直发光二极管的制作
批准号:
19560008
负责人:
HANADA Takashi
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008

项目摘要

项目成果

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サファイヤc面基板上に高品質GaNを成長するためCrNバッファ層を導入した。CrN層は過塩素酸ベースの混合溶液で選択的に化学エッチングされ、GaN自立膜を基板からケミカルリフトオフ(CLO)できた。CLOプロセスによるダメージの導入はなく、縦型GaN-LEDを作製し電流注入発光を観測した。CLOにより複数基板からのLED剥離は一括処理でき、基板は再利用できるため、従来のGaN-LED作製法に比べ大幅なコスト低減が可能となる。
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专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1063/1.3086890
发表时间: 2009-02-23
期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子: 4
作者: [Lee, S. W., Ha, Jun-Seok, Yao, T.]
通讯作者: Yao, T.
DOI: 10.1109/lpt.2007.912491
发表时间: 2008-01-01
期刊: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
影响因子: 2.6
作者: [Ha, Jun-Seok, Lee, S. W., Yao, T.]
通讯作者: Yao, T.
The Realization of Vertical Light Emitting Diodes (V-LEDs) Using Chemical Lift-off (CLO) Processes
使用化学剥离 (CLO) 工艺实现垂直发光二极管 (V-LED)
DOI: --
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者: [S. W. Lee, et. al.]
通讯作者: et. al.
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: Phys. stat. sol. (c) 4
影响因子: --
作者: [S. W. Lee, et. al.]
通讯作者: et. al.
Establishment of accuracy management system in IMRT QA/QC using organic phosphor
  • 批准号:
    24791336
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $1.58万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    HANADA Takashi
  • 依托单位:
Observation and control of heteroepitaxy on Si substrate by in situ X-ray diffraction
  • 批准号:
    21560007
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $3.24万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    HANADA Takashi
  • 依托单位:
海外基金