Self-aligned growth of carbon nanotubes and its application to field emitter array

碳纳米管自对准生长及其在场发射阵列中的应用

• 批准号: 21560033
• 负责人: SATO Hideki
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Mie University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560033/
• 关键词: カーボンナノチューブ、スパッタリング法、フィールドエミッタ、化学気相成長法; カーボンナノチューブ; スパッタリング法; フィールドエミッタ化学気相成長法; 化学気相成長法; CNTピラーアレイ; フィールドエミッタ; CNT成長モルフォロジー制御; CNTピラー

The influence of geometry of a carbon nanotube(CNT) pillar array on its field-emission properties was investigated for the purpose of designing a high-efficiency CNT field-emitter array. Here the dependence of the field-emission(FE) properties(turn-on voltage and emission site distribution) on the pillar pitch and the shape was examined. Our results showed that the change of the pillar shape from a square shape to a"mountain shape", which was fabricated by the self-aligned CNT growth process, improved the FE properties. This improvement is due to the dispersed growth morphology, which reduces the field-screening effect at the top of the mountain-shaped pillars.

为了设计高效的碳纳米管场发射阵列，研究了碳纳米管柱阵列的几何形状对其场发射性能的影响。在这里，研究了场发射特性(开启电压和发射点分布)与柱距和形状的关系。结果表明，采用自对准碳纳米管生长工艺制备的柱子形状由正方形变为“山形”，改善了有限元性能。这是由于生长形态分散，降低了山形柱顶的场屏蔽效应。

项目成果

不均一触媒薄膜形成によるカーボンナノチューブ薄膜のモルフォロジー制御

通过形成异质催化薄膜来控制碳纳米管薄膜的形态

• 发表时间: 2010
• 作者: 本並哲;三村功次郎;et al.;坂本謙二;渡辺将章,佐藤英樹,畑浩一
• 通讯作者: 渡辺将章,佐藤英樹,畑浩一

カーボンナノチューブ成長方法

碳纳米管生长方法

• 发表时间: 2011

Effect of Geometry of Vertically Aligned Carbon Nanotube Pillar Array on Its Field Emission Property

垂直排列碳纳米管柱阵列的几何形状对其场发射性能的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 内海有希;et al.;Hideki Sato
• 通讯作者: Hideki Sato

Growth characteristics of carbon nanotubes on metal tips

碳纳米管在金属尖端上的生长特性

• 发表时间: 2011
• 作者: 三村功次郎;et al.;Hideki Sato
• 通讯作者: Hideki Sato

鉄内包カーボンナノチューブの磁気特性

铁包覆碳纳米管的磁性

• 发表时间: 2012
• 作者: Yushi Kato;Yasuyuki Akita;Yusaburou Ono;Makoto Hosaka;Naoki Shiraishi;Nobuo Tsuchimine;Mamoru Yoshimoto;長田篤,佐藤英樹,中村峻介,金子哲也,藤原裕司
• 通讯作者: 長田篤,佐藤英樹,中村峻介,金子哲也,藤原裕司