Study of high-κ/strained-Ge channel and high-κ/strained-Si channel using X-ray Photoelectron Spectroscopy

X射线光电子能谱研究高κ/应变Ge通道和高κ/应变Si通道

• 批准号: 21560035
• 负责人: NOHIRA Hiroshi
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Tokyo City University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560035/
• 关键词: 歪チャネル; 硬X線光電子分光法; 高誘電率膜ゲート絶縁膜; 高移動度チャネル; Ge; 界面構造; 表面・界面物性; 歪Geチャネル; 角度分解X線光電子分光法; 高誘電率絶縁膜/半導体界面; 積層構造; 深さ方向元素分布; 高誘電率絶縁膜; 半導体界面

We have investigated the influence of Si-cap layer and the post deposition annealing(PDA) on compositional depth profiles and chemical structures of HfO_2/Si-cap/strained Ge/SiGe/Si interfaces by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy. Analyses of Ge 2p, Si 1s and Hf 3d spectra show that strained-Ge layer is oxidized during the deposition of HfO_2 in the case of an 1-nm-thick Si cap layer, while the Ge layer is not oxidized in the case of an 3 and 5-nm-thick Si cap layer. In other words, the oxidation of Ge is prevented by the existence of bulk-Si.

利用角分辨X射线光电子能谱研究了Si帽层和淀积后退火（PDA）对HfO_2/Si帽/应变Ge/SiGe/Si界面组分深度分布和化学结构的影响。Ge 2 p、Si 1 s和Hf 3d谱分析表明，在Si帽层厚度为1 nm时，应变Ge层在HfO 2沉积过程中被氧化，而在Si帽层厚度为3 nm和5 nm时，应变Ge层没有被氧化。换句话说，通过体硅的存在防止了Ge的氧化。

项目成果

Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0–7-nm-Thick SiO2 Layer

0-7 nm 厚 SiO2 层覆盖的 Si(001) 的硬 X 射线光电子衍射

• DOI: 10.1143/apex.3.056701
• 发表时间: 2010
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: I. Píš;M. Kobata;T. Matsushita;H. Nohira;Keisuke L. I. Kobayashi
• 通讯作者: Keisuke L. I. Kobayashi

軟X線光電子分光法を用いたSi中Bの化学結合状態の熱処理温度依存性

使用软 X 射线光电子能谱研究 Si 中 B 化学键状态的热处理温度依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: 宮田陽平;金原潤;秋田洸平;筒井一生;野平博司;泉雄大;室隆桂之;木下豊彦;角嶋邦之;アヘメト パールハット;服部健雄;岩井洋
• 通讯作者: 岩井洋

角度分解X線光電子分光法によるHfO_2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価

角分辨X射线光电子能谱评价HfO_2/Si/应变Ge/SiGe结构

• 发表时间: 2011
• 作者: 小松新;那須賢太郎;星裕介;榑林徹;澤野憲太郎;マクシムミロノフ;野平博司;白木靖寛
• 通讯作者: 白木靖寛

XPS Study on Chemical Bonding States of high-κ/high-μGate Stacks for Advanced CMOS

先进 CMOS 的高 κ/高 μGate 堆叠化学键态的 XPS 研究

• 发表时间: 2011
• 期刊: Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
• 作者: Hiroshi Nohira;Arata Komatsu;Koji Yamashita;Kuniyuki Kakushima;Hiroshi Iwai;Yusuke Hoshi;Kentarou Sawano;and Yasuhiro Shiraki
• 通讯作者: and Yasuhiro Shiraki

Effect of Various Surface Treatments on Chemical Bonding State at La_2O_3/In_<0.53>Ga_<0.47>As and nd In_<0.53>Ga_<0.47>As Surface

不同表面处理对La_2O_3/In_<0.53>Ga_<0.47>As和nd In_<0.53>Ga_<0.47>As表面化学键态的影响

• 发表时间: 2011
• 期刊: Electrochemical Society Inc., ECS Transactions
• 作者: Koji Yamashita;Arata Komatsu;Masato Watanabe;Yuuya Numajiri;Darius Zade;Kuniyuki Kakushima;Hiroshi Iwai;Hiroshi Nohira
• 通讯作者: Hiroshi Nohira