Reaction mechanism of nano-scale silicon-insulator thin films by real-time observation

实时观察纳米级硅绝缘体薄膜的反应机理

• 批准号: 21560321
• 负责人: ENTA Yoshiharu
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Hirosaki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560321/
• 关键词: シリコン酸化膜; 光電子分光; 酸化速度; リアルタイム測定; ゲート酸化膜; 熱脱離; 放射光; ドライ酸化; ウェット酸化

For further technological development of semiconductor integrated circuits, we have developed ambient pressure x-ray photoelectron spectroscopy, and carried out real-time observation of nanoscale surface reaction on silicon insulator films with this method. We found two regimes for oxidation rate in initial stage by measuring the growth rate of thermal silicon oxide films accurately. In addition, we found many silicon nanoscale structures on the surface when the silicon oxide films were heated in vacuum.

为了进一步发展半导体集成电路的技术，我们发展了常压x射线光电子能谱，并用这种方法对硅绝缘薄膜上的纳米级表面反应进行了实时观察。通过对热氧化硅膜生长速率的精确测量，发现了氧化初期的两个区域。此外，在真空中加热氧化硅薄膜时，我们在其表面发现了许多硅纳米结构。

项目成果

微細加工SiC基板上のエピタキシャルグラフェンの電子状態

微加工SiC衬底上外延石墨烯的电子态

• 发表时间: 2011
• 作者: Hiroki Kitahara;Masaru Hasegawa;Keiju Matsui;井出隆之;山野芳昭;吹留博一
• 通讯作者: 吹留博一

Effects of Silicon Source Gas and Substrate Bias on the Film Properties of Si-Incorporated Diamond-Like Carbon by Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

硅源气体和基底偏压对射频等离子体增强化学气相沉积掺硅类金刚石碳薄膜性能的影响

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: H. Nakazawa;T. Kinoshita;Y. Kaimori;Y. Asai;M. Suemitsu;T. Abe;K. Yasui;T. Endoh;T. Itoh;Y. Narita;Y. Enta;M. Mashita
• 通讯作者: M. Mashita

Tuning of Structural and Electronic properties of Epitazial Graphene by Substrate Microfabrication

通过基底微加工调节外延石墨烯的结构和电子性能

• 发表时间: 2011
• 作者: Keiju MATSU;Takanori ASABA;Masaru HASEGAWA;H.Fukidome
• 通讯作者: H.Fukidome

ダイヤモンドライクカーボンの化学結合状態

类金刚石碳的化学键态

• 发表时间: 2011
• 作者: I.Kanno;T.Ichida;K.Adachi;H.Kotera;K.Shibata;T.Mishima;中澤日出樹
• 通讯作者: 中澤日出樹

6H-SiC基板上微細メサ構造へのエピタキシャルグラフェン形成

6H-SiC 衬底上精细台面结构上的外延石墨烯形成

• 发表时间: 2010
• 作者: 谷口勇太;辻埜太一;堀田將;長谷川勝;半田浩之
• 通讯作者: 半田浩之