Quantum-dots formation in a buried interface by external-electron-energy injection
Quantum-dots formation in a buried interface by external-electron-energy injection
批准号:
19K03694
负责人:
ENTA Yoshiharu
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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電子線照射によるシリコン酸化膜の還元に伴う表面変形
通过电子束照射使氧化硅膜还原而导致表面变形
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[秋元恭汰, 藤森敬典, 遠田 義晴]
通讯作者:
遠田 義晴
窒素添加DLC膜特性へのアニール効果
退火对加氮DLC薄膜性能的影响
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長内公哉, 中村和樹, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 中澤日出樹]
通讯作者:
中澤日出樹
DOI:
10.1016/j.tsf.2022.139100
发表时间:
2022-01
期刊:
Thin Solid Films
影响因子:
2.1
作者:
[Hiroya Osanai;Kazuki Nakamura;Yuya Sasaki;Haruto Koriyama;Yasuyuki Kobayashi;Y. Enta;Yu Suzuki;Maki Suemitsu;H. Nakazawa]
通讯作者:
Hiroya Osanai;Kazuki Nakamura;Yuya Sasaki;Haruto Koriyama;Yasuyuki Kobayashi;Y. Enta;Yu Suzuki;Maki Suemitsu;H. Nakazawa
青色Zr系金属ガラスの深さ元素分析による高濃度Cu層の存在
蓝色Zr基金属玻璃深度元素分析表明高浓度Cu层的存在
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[増田悠右, 工藤竜太, 遠田義晴, 富樫望]
通讯作者:
富樫望
ポストアニールが窒素添加DLC膜特性に及ぼす効果
后退火对氮掺杂DLC薄膜性能的影响
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長内公哉, 中村和樹, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希, 中澤日出樹]
通讯作者:
中澤日出樹
共 26 条
Reaction mechanism of nano-scale silicon-insulator thin films by real-time observation
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批准号:21560321
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.08万
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财政年份:2009
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负责人:ENTA Yoshiharu
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依托单位:
In-situ Observation of Atomic Layr Epitaxy by Photoelectron Oscillation
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批准号:07650001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1995
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负责人:ENTA Yoshiharu
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依托单位:
海外基金