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Quantum-dots formation in a buried interface by external-electron-energy injection
通过外部电子能量注入在掩埋界面中形成量子点
基本信息
- 批准号：19K03694
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（27）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
窒素添加DLC膜特性へのアニール効果
退火对加氮DLC薄膜性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：長内公哉;中村和樹;郡山春人;小林康之;遠田義晴;鈴木裕史;中澤日出樹
- 通讯作者：中澤日出樹
Effects of annealing temperature on the mechanical, optical, and electrical properties of hydrogenated, nitrogen-doped diamond-like carbon films
- DOI：10.1016/j.tsf.2022.139100
- 发表时间：2022-01
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：Hiroya Osanai;Kazuki Nakamura;Yuya Sasaki;Haruto Koriyama;Yasuyuki Kobayashi;Y. Enta;Yu Suzuki;Maki Suemitsu;H. Nakazawa
- 通讯作者：Hiroya Osanai;Kazuki Nakamura;Yuya Sasaki;Haruto Koriyama;Yasuyuki Kobayashi;Y. Enta;Yu Suzuki;Maki Suemitsu;H. Nakazawa
青色Zr系金属ガラスの深さ元素分析による高濃度Cu層の存在
蓝色Zr基金属玻璃深度元素分析表明高浓度Cu层的存在
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：増田悠右;工藤竜太;遠田義晴;富樫望
- 通讯作者：富樫望
ポストアニールが窒素添加DLC膜特性に及ぼす効果
后退火对氮掺杂DLC薄膜性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：長内公哉;中村和樹;小林康之;遠田義晴;鈴木裕史;末光眞希;中澤日出樹
- 通讯作者：中澤日出樹
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ENTA Yoshiharu其他文献
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{{ truncateString('ENTA Yoshiharu', 18)}}的其他基金
Reaction mechanism of nano-scale silicon-insulator thin films by real-time observation
实时观察纳米级硅绝缘体薄膜的反应机理
- 批准号：
21560321 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
In-situ Observation of Atomic Layr Epitaxy by Photoelectron Oscillation
光电子振荡原位观察原子层外延
- 批准号：
07650001 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
高精度に制御された極薄シリコン酸化膜を利用した特性バラツキ抑制技術の研究開発
利用高精度控制的超薄氧化硅膜抑制特性变化技术的研究与开发
- 批准号：
20035002 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
極薄シリコン酸化膜の原子的レベルの膜厚高均一・高均質化技術の研究開発
原子级超薄氧化硅膜厚均匀化及均质化技术研发
- 批准号：
19026002 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
屈折率を広範囲制御可能なシリコン酸化膜を用いた新しい光波長フィルタの研究
新型大范围折射率可控氧化硅薄膜光学波长滤波器的研究
- 批准号：
13750299 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
断面光電子分光法による非晶質シリコン酸化膜の組成および結合状態密度の深さ方向分析
利用截面光电子能谱深度分析非晶硅氧化物薄膜的成分和键态密度
- 批准号：
13025243 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
仮想多層膜形成条件熱酸化による高機能極薄シリコン酸化膜の研究
利用热氧化和虚拟多层膜形成条件研究高性能超薄氧化硅薄膜
- 批准号：
13025230 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
大気圧非平衡プラズマを用いた化学反応による高品質シリコン酸化膜の気相合成
利用常压非平衡等离子体通过化学反应气相合成高质量氧化硅薄膜
- 批准号：
12750173 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
シリコン/シリコン酸化膜系ダブルバリヤ構造を用いた共鳴トンネル分光法の研究
硅/氧化硅双势垒结构共振隧道光谱研究
- 批准号：
10875007 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
フッ化炭素直接添加によるシリコン酸化膜の極低誘電率化
直接添加碳氟化合物获得极低介电常数的氧化硅薄膜
- 批准号：
09750355 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
非平衡プラズマ状態下での有機シリコン源と酸素によるシリコン酸化膜の化学的気相合成
非平衡等离子体条件下有机硅源和氧化学气相合成氧化硅薄膜
- 批准号：
09750241 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
無声放電を用いた非平衡プラズマによる珪酸エチルと酸素からのシリコン酸化膜合成
使用非平衡等离子体无声放电由硅酸乙酯和氧气合成氧化硅薄膜
- 批准号：
08750251 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)