Study on relaxed/strained semiconductor layer heterostructures fabricated by ion implantation induced relaxation technique of strained semiconductors
Study on relaxed/strained semiconductor layer heterostructures fabricated by ion implantation induced relaxation technique of strained semiconductors
离子注入应变半导体弛豫技术制备弛豫/应变半导体层异质结构的研究
批准号：
21560371
负责人：
MIZUNO Tomohisa
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
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英文摘要
We have experimentally demonstrated an abrupt source heterostructure(SHOT) with relaxed/strained layers for a future high speed CMOS, using ion implantation technique. n-and p-SHOTs can be easily fabricated by the slip between the strained layer and the buried oxide on strained Si and SiGe layers, respectively, using the recoil energy of O+or H+ions.
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Experimental Study of Single Source-Heterojunction MOS Transistors(SHOTs) for Quasi-Ballistic Regime : Optimization of Source-Hetero Structures and Electron Velocity Characteristics at Low Temperature
准弹道态单源异质结MOS晶体管（SHOT）的实验研究：低温源异质结构和电子速度特性的优化
准弹道态单源异质结MOS晶体管（SHOT）的实验研究：低温源异质结构和电子速度特性的优化
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
--
作者：
[T. Mizuno, Y. Moriyama, T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi]
通讯作者：
and S. Takagi
単一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討:(I)緩和Si/歪Siヘテロ構造
利用单一半导体的新型源异质结构研究：（一）松弛Si/应变Si异质结构
利用单一半导体的新型源异质结构研究：（一）松弛Si/应变Si异质结构
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[水野智久, 溝口直樹, 谷本光太郎, 山内知明, 鮫島俊之]
通讯作者：
鮫島俊之
Abrupt Source Heterostructures with Lateral-Relaxed/Strained Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors using Lateral Strain Control Technique of Strained Substrates
使用应变衬底横向应变控制技术的准弹道 CMOS 晶体管的具有横向松弛/应变层的突变源异质结构
使用应变衬底横向应变控制技术的准弹道 CMOS 晶体管的具有横向松弛/应变层的突变源异质结构
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Extended Abst. of SSDM
影响因子：
--
作者：
[T. Mizuno, M. Hasegawa, K. Ikeda, M. Nojiri, and T. Horikawa]
通讯作者：
and T. Horikawa
Lateral Source Relaxed/Strained Layer Heterostructures for Ballistic CMOS : Physical Relaxation Mechanism for Strained Layers by O+ Ion Implantation
弹道 CMOS 的横向源弛豫/应变层异质结构：O 离子注入应变层的物理弛豫机制
弹道 CMOS 的横向源弛豫/应变层异质结构：O 离子注入应变层的物理弛豫机制
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Extended Abst.of SSDM
影响因子：
--
作者：
[T.Mizuno, J.Takehi, S.Tanabe]
通讯作者：
S.Tanabe
New Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Semiconductors for Quasi-Ballistic Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor(CMOS) Transistors : Relaxation Technique of Strained-Substrates and Design of Sub-10nm Devices
用于准弹道互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管的具有松弛/应变半导体的新型源异质结结构：应变衬底的松弛技术和亚10nm器件的设计
用于准弹道互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管的具有松弛/应变半导体的新型源异质结结构：应变衬底的松弛技术和亚10nm器件的设计
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
--
作者：
[Yamauchi, M. Hasegawa, T. Sameshima, and T. Tezuka]
通讯作者：
and T. Tezuka
共 23 条
Experimental study on two-dimensional silicon
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批准号：24560422
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.49万
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财政年份：2012
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负责人：MIZUNO Tomohisa
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依托单位：
海外基金