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Experimental study on two-dimensional silicon
二维硅的实验研究
基本信息
- 批准号：24560422
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数nm-CMOS素子用2次元Si層の検討（I）：フォノン閉じ込め効果の面方位/歪み依存性
几种 nm-CMOS 器件的二维 Si 层研究（一）：声子限制效应的平面取向/应变依赖性
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Asaka;T. Hashimoto;K. Yoshida;and Y. Kanai;穴田哲夫，陳 春平，分担執筆;中原雄太，永田祐介，青木孝，鮫島俊之，水野智久
- 通讯作者：中原雄太，永田祐介，青木孝，鮫島俊之，水野智久
数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅷ):酸化膜応力によるバンド変調
几种nm-CMOS器件的二维Si层研究（八）：氧化膜应力引起的能带调制
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木佑弥, 長嶺由騎，山中正博，青木孝，前田辰郎;水野智久
- 通讯作者：水野智久
数nm-COMOS素子用二次元Si層の検討（Ⅸ）：量子閉じ込め効果の結晶方位依存性へのドーパントの影響
几种 nm-COMOS 器件的二维 Si 层研究 (IX)：掺杂剂对量子限制效应的晶体取向依赖性的影响
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Nakamura;H. Osawa;Y. Okamoto;Y. Kanai;and H. Muraoaka;長嶺由騎, 鈴木佑弥，青木孝，鮫島俊之，水野智久
- 通讯作者：長嶺由騎, 鈴木佑弥，青木孝，鮫島俊之，水野智久
数nm-MOS素子用二次元Si層検討（Ⅺ）：C添加による物性変調
几种 nm-MOS 器件的二维 Si 层检查 (Ⅺ)：通过添加 C 来调节物理性能
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Tomohisa Mizuno;Keisuke Tobe;Yohichi Maruyama;and Toshiyuki Sameshima;加藤丈政・鎌田克洋・加藤紀樹・陳 春平・穴田哲夫;鈴木 佑弥，長嶺 由騎，青木 孝，前田 辰郎，水野 智久;武田重喜・一瀬裕弥・穴田哲夫・陳 春平;[52]長嶺 由騎，鈴木 佑弥，青木 孝，水野 智久
- 通讯作者：[52]長嶺 由騎，鈴木 佑弥，青木 孝，水野 智久
数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(VII):量子的閉じ込め効果のドナー/アクセプター濃度依存性
几种 nm-CMOS 器件的二维 Si 层研究（七）：量子限制效应对施主/受主浓度的依赖性
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. J. Greaves;H. Muraoka;and Y. Kanai;中原雄太，永田祐介，鈴木佑弥，青木孝，鮫島俊之，水野智久
- 通讯作者：中原雄太，永田祐介，鈴木佑弥，青木孝，鮫島俊之，水野智久
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