Experimental study on two-dimensional silicon
二维硅的实验研究
基本信息
- 批准号:24560422
- 负责人:
- 金额:$ 3.49万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数nm-CMOS素子用2次元Si層の検討(I):フォノン閉じ込め効果の面方位/歪み依存性
几种 nm-CMOS 器件的二维 Si 层研究(一):声子限制效应的平面取向/应变依赖性
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Asaka;T. Hashimoto;K. Yoshida;and Y. Kanai;穴田哲夫,陳 春平,分担執筆;中原雄太,永田祐介,青木孝,鮫島俊之,水野智久
- 通讯作者:中原雄太,永田祐介,青木孝,鮫島俊之,水野智久
数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅷ):酸化膜応力によるバンド変調
几种nm-CMOS器件的二维Si层研究(八):氧化膜应力引起的能带调制
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:鈴木佑弥, 長嶺由騎,山中正博,青木孝,前田辰郎;水野智久
- 通讯作者:水野智久
数nm-COMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅸ):量子閉じ込め効果の結晶方位依存性へのドーパントの影響
几种 nm-COMOS 器件的二维 Si 层研究 (IX):掺杂剂对量子限制效应的晶体取向依赖性的影响
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Nakamura;H. Osawa;Y. Okamoto;Y. Kanai;and H. Muraoaka;長嶺由騎, 鈴木佑弥,青木孝,鮫島俊之,水野智久
- 通讯作者:長嶺由騎, 鈴木佑弥,青木孝,鮫島俊之,水野智久
Impact of Surface Oxide Layer on Band Structure Modulation
表面氧化层对能带结构调制的影响
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Mizuno;Y. Suzuki;M. Yamanaka;Y. Nagamine;Y. Nakahara;Y. Nagata;T. Aoki;and T. Maeda
- 通讯作者:and T. Maeda
数nm-MOS素子用二次元Si層検討(Ⅺ):C添加による物性変調
几种 nm-MOS 器件的二维 Si 层检查 (Ⅺ):通过添加 C 来调节物理性能
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Tomohisa Mizuno;Keisuke Tobe;Yohichi Maruyama;and Toshiyuki Sameshima;加藤丈政・鎌田克洋・加藤紀樹・陳 春平・穴田哲夫;鈴木 佑弥,長嶺 由騎,青木 孝,前田 辰郎,水野 智久;武田重喜・一瀬裕弥・穴田哲夫・陳 春平;[52]長嶺 由騎,鈴木 佑弥,青木 孝,水野 智久
- 通讯作者:[52]長嶺 由騎,鈴木 佑弥,青木 孝,水野 智久
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