Experimental study on two-dimensional silicon
Experimental study on two-dimensional silicon
二维硅的实验研究
批准号：
24560422
负责人：
MIZUNO Tomohisa
金额：
$3.49万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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数nm-CMOS素子用2次元Si層の検討（I）：フォノン閉じ込め効果の面方位/歪み依存性
几种 nm-CMOS 器件的二维 Si 层研究（一）：声子限制效应的平面取向/应变依赖性
几种 nm-CMOS 器件的二维 Si 层研究（一）：声子限制效应的平面取向/应变依赖性
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Asaka, T. Hashimoto, K. Yoshida, and Y. Kanai, 穴田哲夫，陳 春平，分担執筆, 中原雄太，永田祐介，青木孝，鮫島俊之，水野智久]
通讯作者：
中原雄太，永田祐介，青木孝，鮫島俊之，水野智久
数nm-CMOS素子用二次元Si層の検討(Ⅷ):酸化膜応力によるバンド変調
几种nm-CMOS器件的二维Si层研究（八）：氧化膜应力引起的能带调制
几种nm-CMOS器件的二维Si层研究（八）：氧化膜应力引起的能带调制
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木佑弥, 長嶺由騎，山中正博，青木孝，前田辰郎, 水野智久]
通讯作者：
水野智久
数nm-COMOS素子用二次元Si層の検討（Ⅸ）：量子閉じ込め効果の結晶方位依存性へのドーパントの影響
几种 nm-COMOS 器件的二维 Si 层研究 (IX)：掺杂剂对量子限制效应的晶体取向依赖性的影响
几种 nm-COMOS 器件的二维 Si 层研究 (IX)：掺杂剂对量子限制效应的晶体取向依赖性的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Nakamura, H. Osawa, Y. Okamoto, Y. Kanai, and H. Muraoaka, 長嶺由騎, 鈴木佑弥，青木孝，鮫島俊之，水野智久]
通讯作者：
長嶺由騎, 鈴木佑弥，青木孝，鮫島俊之，水野智久
Impact of Surface Oxide Layer on Band Structure Modulation
表面氧化层对能带结构调制的影响
表面氧化层对能带结构调制的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
Extended Abst. of SSDM
影响因子：
--
作者：
[T. Mizuno, Y. Suzuki, M. Yamanaka, Y. Nagamine, Y. Nakahara, Y. Nagata, T. Aoki, and T. Maeda]
通讯作者：
and T. Maeda
数nm-MOS素子用二次元Si層検討（Ⅺ）：C添加による物性変調
几种 nm-MOS 器件的二维 Si 层检查 (Ⅺ)：通过添加 C 来调节物理性能
几种 nm-MOS 器件的二维 Si 层检查 (Ⅺ)：通过添加 C 来调节物理性能
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tomohisa Mizuno, Keisuke Tobe, Yohichi Maruyama, and Toshiyuki Sameshima, 加藤丈政・鎌田克洋・加藤紀樹・陳 春平・穴田哲夫, 鈴木 佑弥，長嶺 由騎，青木 孝，前田 辰郎，水野 智久, 武田重喜・一瀬裕弥・穴田哲夫・陳 春平, [52]長嶺 由騎，鈴木 佑弥，青木 孝，水野 智久]
通讯作者：
[52]長嶺 由騎，鈴木 佑弥，青木 孝，水野 智久
共 21 条
Study on relaxed/strained semiconductor layer heterostructures fabricated by ion implantation induced relaxation technique of strained semiconductors
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批准号：21560371
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2009
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负责人：MIZUNO Tomohisa
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依托单位：
海外基金