有機エレクトロニクスに向けた新規なドナー-アクセプター化合物の開発
有机电子器件新型供体-受体化合物的开发
基本信息
- 批准号:09F09255
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
フロンティア軌道エネルギーおよび分子間相互作用を考慮して、ドナー-アクセプター化合物を基本骨格としたπ拡張電子系を設計・合成して高性能の有機半導体を開発して、薄膜有機電界効果トランジスタ(OFET)に応用した。本研究では高いキャリア移動度を示す半導体を開発するとともに、物性と分子構造の関係を究明し、高性能を示す分子設計の指針を明らかにすることを目的とした。具体的には3,6-ジアリールチエノ[3,2-b]チオフェン-2,5-ジオン誘導体を合成し、n型半導体特性を調べた。アリール基としてトリフルオロメチルフェニル基の導入が、電子受容性の増大ならびに結晶性をよくすること、分子を基板上に配列することに有効であった。合成した半導体を用いたFETは高い電子移動度を示すことが明らかとなった。さらに、大気下で不安定であるので、電子受容基としてジシアノメチレン基の導入を行い、大気安定性の向上に成功した。また、化合物の溶媒に対する溶解性の向上のため長鎖アルキル基を導入した。アリール基に電子供与性のチオフェン環ユニットを挿入し、ヘテロ環アクセプターとオリゴチオフェンとのハイブッリド化合物で両者の利点を併せ持つドナー-アクセプター型の化合物の合成も試みた。また、ベンゾキノンにチオフェン環を縮環した化合物を合成し、チオフェン環にアリール基やアルキル基の導入を行った。この物質を半導体として用いて、溶液法で10^<-2>cm^2/Vsの移動度が得られた。分子構造ならびに分子間相互作用は、単結晶X線結晶構造解析で解明し、薄膜構造はX線回折ならびにAFM測定で調べた。フロンティア軌道エネルギーは電気化学的な酸化還元電位の測定と、吸収スペクトルにより見積もり,DFT計算により、理論的な考察を行っている。
Design, synthesis and development of high performance organic semiconductors based on the fundamental structure of organic compounds, taking into account the interaction between molecules and orbital structures, and application of thin film organic semiconductor effects (OFET) This study demonstrates the relationship between high mobility and molecular structure. Specifically, the synthesis of a 3,6-channel semiconductor and the modulation of n-type semiconductor characteristics are described. The introduction of the group, the increase in electron capacitance, and the arrangement of molecules on the substrate The semiconductor device has high electron mobility. The introduction of electron acceptor base into the medium and high stability are successful. The solubility of the compound in the solvent is improved by introducing a long-term locking group. The advantages of electron donor and electron donor compounds and the synthesis of electron donor compounds are discussed. The synthesis and introduction of ring condensation compounds The mobility of these substances in semiconductors is 10^<-2>cm^2/Vs by solution method. Molecular structure, molecular interaction, X-ray crystallographic analysis, thin film structure, X-ray reflection, AFM measurement The determination of electrochemical acidification reduction potentials, absorption spectra,DFT calculations and theoretical investigations were carried out.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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