電界効果デバイス構造を用いる有機半導体界面の電荷輸送の研究
利用场效应器件结构研究有机半导体界面的电荷传输
基本信息
- 批准号:09J06819
- 负责人:
- 金额:$ 0.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
有機電界効果トランジスタに関するミクロなキャリアダイナミクスからマクロな電気伝導特性までの総合的な理解を目的とし、下記の3項目に渡って研究を実施した。1.グレイン内-グレイン間のキャリアダイナミクスの分離に関する電界誘起電子スピン共鳴(FESR)研究有機電界効果トランジスタの半導体チャネル層は、多くの場合に多結晶性薄膜からなる。このとき微結晶間界面では電子移動が起こりにくく、トランジスタ特性を低下させると予想される。そこでFESRによって微結晶間のキャリアの移動頻度を評価する方法を新たに開発し、測定・解析を行った。その結果、FESRによって測定した微結晶間のキャリア移動頻度は電気的に測定した移動度と強く相関し、この結果からトランジスタの性能の律速要因が微結晶間界面のキャリア移動過程にあることが結論された。同時に、微結晶内のキャリア移動度は測定値よりも1桁前後高いことが示唆された。2.不純物を含む有機電界効果トランジスタのFESR研究電荷輸送を妨げる要因の1つに半導体中の不純物がある。FESR法では異なる分子種の場合にESR信号が異なる位置に観測されることを利用して、キャリアが不純物分子にトラップされていることの実験的観測に成功した。さらに不純物分子の濃度、配向状態、トランジスタ特性への影響について詳細に調べた。3.イオン液体を用いた有機電界効果トランジスタのFESR研究イオン液体を用いた電気二重層トランジスタを作製してFESR測定することにより、有機半導体中に高密度に蓄積されたキャリアの様子を調べた。その結果、キャリア密度は単純なキャパシタンスからの計算値とは一致せず、材料によって大きく異なることが分かった。
For the purpose of comprehensive understanding of organic electrical conductivity, the following 3 items of research were carried out. 1. Electrically Induced Electron Resonance (FESR) is used to study the organic electronic properties of semiconductor films. The interface between these crystals is characterized by electron mobility. A new method for evaluating the frequency of movement between microcrystals was developed and analyzed. The results of FESR measurement show that the frequency of micro-crystal movement is related to the intensity of micro-crystal movement. The results show that the speed of micro-crystal movement is related to the intensity of micro-crystal movement. At the same time, the micro-crystal inside the film is moving to determine the height of the film. 2. Impurities include organic electrodynamics, charge transport, and impurities in semiconductors. The FESR method can be used to detect the different positions of ESR signals in the case of different molecular species, and the actual detection of impurity molecules has been successful. In addition, the concentration of impurity molecules, alignment state, and the influence of particle characteristics are carefully adjusted. 3. Study on FESR of organic semiconductor in liquid application; study on FESR of organic semiconductor in liquid application; study on FESR of organic semiconductor in liquid application; study on FESR of organic semiconductor in liquid application; The result is that the density is pure and the calculation value is uniform. The material is different.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ESR Observation of Impurity Molecules in Dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene Organic Transistors
二萘并[2,3-b:2,3-f]噻吩并[3,2-b]噻吩有机晶体管中杂质分子的ESR观察
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hiroyuki Matsui;Eiji Takahashi;Toshikazu Yamada;Kazuo Takimiya;Tatsuo Hasegawa
- 通讯作者:Tatsuo Hasegawa
ESR Study on Interfacial Trap States in Organic Thin-Film Transistors
有机薄膜晶体管界面陷阱态的ESR研究
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hiroyuki Matsui;Andrei S.Mishchenko;Tatsuo Hasegawa
- 通讯作者:Tatsuo Hasegawa
低温ESRを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析II
使用低温 ESR II 分析并五苯薄膜晶体管的陷阱分布
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:松井弘之、Andrei S.;Mishchenko、長谷川達生
- 通讯作者:Mishchenko、長谷川達生
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FI-ESR法评价有机薄膜晶体管晶间势垒
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:松井弘之;高橋永次;熊木大介;時任静士;瀧宮和男;長谷川達生
- 通讯作者:長谷川達生
低温ESRを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析
利用低温ESR分析并五苯薄膜晶体管的陷阱分布
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:松井弘之、Andrei S.;Mishchenko、長谷川達生
- 通讯作者:Mishchenko、長谷川達生
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