規則配列InGaNナノコラム結晶による三原色窒化物LEDの一体集積化

使用规则排列的 InGaN 纳米柱晶体集成三基​​色氮化物 LED

基本信息

  • 批准号:
    09J07911
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.45万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

InGaN系LEDは紫色から赤外域までと広範囲に渡り発光色をカバーするため、非常に魅力的である。フルカラーディスプレイなどへの応用の観点から窒化物半導体を用いたRGB発光LEDの一体集積化は重要な課題であると考えられるが、未だ実現されていない。我々はこの解決方法として、ナノコラム結晶の利用を提案した。ナノコラムは結晶中に殆ど貫通転位を含まないことから優れた発光特性を示す。これまでの研究で、自己組織的に形成したInGaN量子井戸ナノコラムLEDにおいて、青色から赤色までの様々な色の直径数μm以下のスポットが隣接して発光する多色発光現象を見出した。この現象は、自己形成ナノコラムでは形状の不均一に起因して1本1本の発光特性が異なるためであると考えられ、ナノコラムの位置と形状を制御すれば近接領域に発光色の異なるナノLEDを形成可能性であることを示唆している。Tiマスク選択成長法を見出し、世界で初めてRF-MBE法における選択成長技術を確立し、ナノコラムの規則配列化を実現した。この技術を用いて直系95nmから270nmの異なる直径を有するナノコラムを同一基板上に集積化させた。ナノコラムの発光特性を評価し、直径に伴う青色から赤色への発光色変化を見出した。またそのメカニズムを明らかにした。この技術を用いることで従来の技術では実現不可能であった同一基板上へのRGB三原色窒化物LEDの一体集積化の可能性を示唆した。またRGBナノLED作製の研究過程として、規則配列ナノコラムを用いた青色LEDの作製に成功した。また緑色領域である波長506nmで内部量子効率74.9%と高い値が得られ、ナノコラム結晶を用いることによる窒化物半導体の高効率化を示した。
InGaN series LED is purple, red, blue, red, blue, blue The integration of RGB light-emitting LEDs in semiconductor applications is an important issue. We propose a solution to this problem. The light emitting characteristics of the crystal are shown in the following ways: In this study, the formation of self-organized InGaN quantum wells, such as LED, cyan, red, and other colors with diameters of several microns or less, was observed. This phenomenon is caused by the non-uniformity of the light emission characteristics of the LED, which is formed by the light emission characteristics of the LED. The RF-MBE method was first introduced in the world, and the selection and growth technology was established and the rule arrangement was realized. This technology is used in direct 95nm to 270nm and in different diameters. The light emission characteristics of the Naokura are evaluated, and the light emission color changes from blue to red in diameter are shown. The first time I saw him was when I was a kid. This technology has been used to demonstrate the possibility of integration of RGB LED on the same substrate. The research process of RGB LED manufacturing was successful, and the manufacturing of cyan LED was successful. Green field wavelength 506nm internal quantum efficiency 74.9%, high value obtained, high efficiency of compound semiconductor

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
RF-MBE法による規則配列InGaN/GaNナノコラムを用いたRGB三原色発光制御
使用 RF-MBE 方法使用规则排列的 InGaN/GaN 纳米柱进行 RGB 原色发射控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroto Sekiguchi;Katsumi Kishino;Akihiko Kikuchi;Hiroto Sekiguchi;関口寛人
  • 通讯作者:
    関口寛人
Formation of InGaN quantum-dots in the regularly arranged GaN nanocolumns grown by Rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy
通过射频等离子体辅助分子束外延生长的规则排列的 GaN 纳米柱中形成 InGaN 量子点
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Sekiguchi;K.Kishino;K.Kato;J.Tanaka;A.Kikuchi
  • 通讯作者:
    A.Kikuchi
半導体光素子アレイおよびその製造方法
半导体光器件阵列及其制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Emission color control from blue to red with nanocolumn diameter of In GaN/GaN nanocolumn arrays grown on same substrate(掲載確定)
通过在同一衬底上生长的 In GaN/GaN 纳米柱阵列的纳米柱直径控制从蓝色到红色的发射颜色(已确认发布)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroto Sekiguchi;Katsumi Kishino;Akihiko Kikuchi
  • 通讯作者:
    Akihiko Kikuchi
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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{{ showInfoDetail.title }}

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