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Study on spin dependent ballistic electron mapping and spin injectioninto semiconductors

Study on spin dependent ballistic electron mapping and spin injectioninto semiconductors
自旋相关弹道电子映射和自旋注入半导体的研究
批准号:
21360023
负责人:
HASEGAWA Shigehiko
金额:
$11.56万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2012

项目摘要

项目成果

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We have investigated structural, electrical, and magnetic properties both of ferromagnetic electrodes on GaN as spin injectors and of III-nitride based dilute semiconductors as spin detectors toward development of ballistic electron emission mapping measurement.
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会议论文
Strong atomic ordering in Gd-doped GaN
Gd 掺杂 GaN 中的强原子有序性
DOI: --
发表时间: 2012
期刊: Appl. Phys. Lett
影响因子: --
作者: [M. Ishimaru, K. Higashi, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Sato, and T. J. Konno]
通讯作者: and T. J. Konno
GaN(0001)表面上の窒化鉄薄膜の形成と評価
GaN(0001)表面氮化铁薄膜的形成与评价
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [米岡賢,古屋貴明,市原寛也,別府亜由美,長谷川繁彦, 朝日一]
通讯作者: 朝日一
Feナノドットの磁気抵抗効果
Fe纳米点的磁阻效应
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者: [市原寛, 長谷川繁彦]
通讯作者: 長谷川繁彦
Growth of Co thin films on GaN(0001) and their magnetic properties
GaN(0001)上Co薄膜的生长及其磁性能
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [Y. Sato. N. Watanabe, R. Ananda, Y. Okada-Shudo, M. Watanabe, M. Hyodo, X. Wang, C. Chen, T. Kanai, and S. Watanabe, A.Beppu]
通讯作者: A.Beppu
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    Nano-characterization of diluted magnetic semiconductors by scanning probe microscopy and spin polarized scanning tunneling microscopy
    • 批准号:
      15360021
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $8.45万
    • 财政年份:
      2003
    • 负责人:
      HASEGAWA Shigehiko
    • 依托单位:
    Study of semiconductor heterointerface using low-energy electron transmission spectroscopy
    • 批准号:
      03452081
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $3.33万
    • 财政年份:
      1991
    • 负责人:
      HASEGAWA Shigehiko
    • 依托单位:
    海外基金