Study on spin dependent ballistic electron mapping and spin injectioninto semiconductors
Study on spin dependent ballistic electron mapping and spin injectioninto semiconductors
批准号:
21360023
负责人:
HASEGAWA Shigehiko
金额:
$11.56万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2012
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英文摘要
We have investigated structural, electrical, and magnetic properties both of ferromagnetic electrodes on GaN as spin injectors and of III-nitride based dilute semiconductors as spin detectors toward development of ballistic electron emission mapping measurement.
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Strong atomic ordering in Gd-doped GaN
Gd 掺杂 GaN 中的强原子有序性
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
Appl. Phys. Lett
影响因子:
--
作者:
[M. Ishimaru, K. Higashi, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Sato, and T. J. Konno]
通讯作者:
and T. J. Konno
GaN(0001)表面上の窒化鉄薄膜の形成と評価
GaN(0001)表面氮化铁薄膜的形成与评价
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[米岡賢,古屋貴明,市原寛也,別府亜由美,長谷川繁彦, 朝日一]
通讯作者:
朝日一
Feナノドットの磁気抵抗効果
Fe纳米点的磁阻效应
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[市原寛, 長谷川繁彦]
通讯作者:
長谷川繁彦
Growth of Co thin films on GaN(0001) and their magnetic properties
GaN(0001)上Co薄膜的生长及其磁性能
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y. Sato. N. Watanabe, R. Ananda, Y. Okada-Shudo, M. Watanabe, M. Hyodo, X. Wang, C. Chen, T. Kanai, and S. Watanabe, A.Beppu]
通讯作者:
A.Beppu
Ga(Gd)NIAlGaN三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製
Ga(Gd)NIAlGaN三重势垒谐振隧道二极管的制作
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A.Fujiki, T.Uemura, N.Zettsu, M.Akai-Kasaya, A.Saito, Y.Kuwahara, 東晃太朗]
通讯作者:
東晃太朗
共 70 条
Nano-characterization of diluted magnetic semiconductors by scanning probe microscopy and spin polarized scanning tunneling microscopy
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批准号:15360021
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$8.45万
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财政年份:2003
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负责人:HASEGAWA Shigehiko
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依托单位:
Study of semiconductor heterointerface using low-energy electron transmission spectroscopy
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批准号:03452081
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.33万
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财政年份:1991
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负责人:HASEGAWA Shigehiko
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依托单位:
海外基金