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Study on spin dependent ballistic electron mapping and spin injectioninto semiconductors
自旋相关弹道电子映射和自旋注入半导体的研究
基本信息
- 批准号：21360023
- 负责人：
- 金额：$ 11.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We have investigated structural, electrical, and magnetic properties both of ferromagnetic electrodes on GaN as spin injectors and of III-nitride based dilute semiconductors as spin detectors toward development of ballistic electron emission mapping measurement.
我们已经研究了结构，电气和磁性的铁磁电极GaN自旋注入器和III族氮化物为基础的稀半导体自旋探测器对弹道电子发射映射测量的发展。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Strong atomic ordering in Gd-doped GaN
Gd 掺杂 GaN 中的强原子有序性
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Ishimaru;K. Higashi;S. Hasegawa;H. Asahi;K. Sato;and T. J. Konno
- 通讯作者：and T. J. Konno
GaN(0001)表面上の窒化鉄薄膜の形成と評価
GaN(0001)表面氮化铁薄膜的形成与评价
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：米岡賢,古屋貴明,市原寛也,別府亜由美,長谷川繁彦;朝日一
- 通讯作者：朝日一
Growth of Co thin films on GaN(0001) and their magnetic properties
GaN(0001)上Co薄膜的生长及其磁性能
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Sato. N. Watanabe;R. Ananda;Y. Okada-Shudo;M. Watanabe;M. Hyodo;X. Wang;C. Chen;T. Kanai;and S. Watanabe;A.Beppu
- 通讯作者：A.Beppu
Ga(Gd)NIAlGaN三重障壁共鳴トンネルダイオードの作製
Ga(Gd)NIAlGaN三重势垒谐振隧道二极管的制作
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A.Fujiki;T.Uemura;N.Zettsu;M.Akai-Kasaya;A.Saito;Y.Kuwahara;東晃太朗
- 通讯作者：東晃太朗
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HASEGAWA Shigehiko其他文献
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