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Planar type all-optical switches of semiconductor multilayer using quantum dots

Planar type all-optical switches of semiconductor multilayer using quantum dots
使用量子点的半导体多层平面型全光开关
批准号：
21360035
负责人：
ISU Toshiro
金额：
$11.81万
依托单位：
The University of Tokushima
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360035/
关键词：
光エレクトロニクス超高速全光スイッチ量子ドット微小共振器MBE,エピタキシャル光スイッチ非線形光学応答キャリア緩和化合物半導体多層膜超高速光スイッチ光カー効果

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We fabricated GaAa/ AlAs multilayer cavity structures with InAs quantum dots(QDs) embedded in strain-relaxed InGaAs layers by molecular beam epitaxy on the GaAs substrate, and nonlinear optical responses were investigated. We found that Er-doping induced ultrafast decay of the photo-excited carriers in the InAs QDs, and confirmed that nonlinear optical signals with a response time of around 1ps were obtained in the cavity structure with QDs, which were two order of magnitude larger than that without QDs.
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歪緩和バリア層に埋め込んだSiドープInAs量子ドットにおけるキャリア緩和の励起波長依存性
嵌入应变弛豫势垒层的硅掺杂 InAs 量子点中载流子弛豫的激发波长依赖性
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [北田貴弘, 他]
通讯作者： 他
Optical Kerr Signals of a GaAs/ AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Layers
应变松弛 InGaAs 层中嵌入 InAs 量子点的 GaAs/ AlAs 多层腔的光学克尔信号
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [Toshiro Isu, et al.]
通讯作者： et al.
Enhanced Optical Kerr Signal of GaAs/ AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers
应变松弛势垒中嵌入 InAs 量子点的 GaAs/ AlAs 多层腔的增强光学克尔信号
DOI： 10.1143/apex.2.082001
发表时间： 2009
期刊： Applied Physics Express
影响因子： 2.3
作者： [Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu]
通讯作者： and Toshiro Isu
Optical Kerr Signals Markedly Enhanced by Increasing Quality Factor in a GaAs/ AlAs Multilayer Cavity
通过提高 GaAs/AlAs 多层腔中的品质因数显着增强光学克尔信号
DOI： 10.1143/jjap.50.04dg02
发表时间： 2011
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada, Toshiro Isu]
通讯作者： Toshiro Isu
共 45 条
    A wavelength conversion device by a semiconductor-multilayer-coupled cavity
    • 批准号：
      22656018
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.21万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      ISU Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokushima
    海外基金