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A wavelength conversion device by a semiconductor-multilayer-coupled cavity
一种半导体多层耦合腔波长转换器件
基本信息
- 批准号：22656018
- 负责人：
- 金额：$ 2.21万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Optical properties of the three-coupled-cavity structures for planar type wavelength conversion devices operating at a low power with ultrafast response were investigated. We fabricated GaAs/ AlAs multilayer three-coupled-cavity structures by molecular beam epitaxy, and observed three cavity modes as designed. We also observed large nonlinear signals in the spatially separated degenerate-four-wave-mixing measurements.
研究了低功耗、超快响应的平面型波长转换器件的三耦合腔结构的光学特性。采用分子束外延的方法制备了GaAs/ AlAs多层三耦合腔结构，并观察到设计的三种腔模式。我们还在空间分离的简并四波混频测量中观察到大的非线性信号。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
GaAs/ AlAs多層膜三結合共振器構造を用いた四光波混合による波長変換素子
采用GaAs/AlAs多层三耦合谐振器结构的四波混频波长转换装置
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：安長千徳;他
- 通讯作者：他
歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器の四光波混合信号測定
应变弛豫势垒层中嵌入 InAs 量子点的 GaAs/AlAs 多层谐振器的四波混频信号测量
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：上山日向;他
- 通讯作者：他
GaAs/AlAs多層膜三結合共振器構造を用いた四光波混合による波長変換素子
采用GaAs/AlAs多层三耦合谐振器结构的四波混频波长转换装置
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：安長千徳;他;安長千徳
- 通讯作者：安長千徳
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- 资助金额：
$ 2.21万 - 项目类别：
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