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A wavelength conversion device by a semiconductor-multilayer-coupled cavity

A wavelength conversion device by a semiconductor-multilayer-coupled cavity
一种半导体多层耦合腔波长转换器件
批准号：
22656018
负责人：
ISU Toshiro
金额：
$2.21万
依托单位：
The University of Tokushima
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656018/
关键词：
光エレクトロニクス波長変換微小共振器MBE,エピタキシャル光スイッチ非線形光学応答化合物半導体多層膜超高速全光スイッチ

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Optical properties of the three-coupled-cavity structures for planar type wavelength conversion devices operating at a low power with ultrafast response were investigated. We fabricated GaAs/ AlAs multilayer three-coupled-cavity structures by molecular beam epitaxy, and observed three cavity modes as designed. We also observed large nonlinear signals in the spatially separated degenerate-four-wave-mixing measurements.
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会议论文
GaAs/ AlAs多層膜三結合共振器構造を用いた四光波混合による波長変換素子
采用GaAs/AlAs多层三耦合谐振器结构的四波混频波长转换装置
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [安長千徳, 他]
通讯作者： 他
歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器の四光波混合信号測定
应变弛豫势垒层中嵌入 InAs 量子点的 GaAs/AlAs 多层谐振器的四波混频信号测量
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [上山日向, 他]
通讯作者： 他
GaAs/ AlAs多層膜三結合共振器の面型波長変換素子への応用
GaAs/AlAs多层三耦合谐振器在平面波长转换器件中的应用
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [北田貴弘, 他]
通讯作者： 他
GaAs/AlAs多層膜三結合共振器の面型波長変換素子への応用
GaAs/AlAs多层三耦合谐振器在平面波长转换器件中的应用
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [北田貴弘, 他]
通讯作者： 他
共 6 条
    Planar type all-optical switches of semiconductor multilayer using quantum dots
    • 批准号：
      21360035
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      ISU Toshiro
    • 依托单位：
      The University of Tokushima
    海外基金