Crystal growth mechanism of SiC under metastable equilibrium

亚稳态平衡下SiC晶体生长机理

• 批准号: 21360371
• 负责人: NISHITANI Shigeto
• 金额: $ 11.73万
• 依托单位: Kwansei Gakuin University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360371/
• 关键词: 第一原理計算; 凝固プロセス; パワーデバイス; 状態図; 有限温度計算; 電子顕微鏡観察; 熱力学測定

Metastable Solvent Epixaty, MSE, is the cheep and stable process of 4H-SiC, which has been expected to be a next generation power device materials. For clarify this novel process, first principles calculations has been performed. Phonon calculations suggest the stability of 4H-SiC. Surface energy calculations shows that the (0001) surface is the most stable in Si-rich environment. Low activation energy of surface diffusion on (0001) C-face drives the flat growth of this surface.

4H-碳化硅是一种成本低廉、性能稳定的亚稳态溶剂，有望成为新一代功率器件材料。为了阐明这一新过程，进行了第一性原理计算。声子计算表明4H-碳化硅是稳定的。表面能计算表明，在富硅环境中，(0001)面最稳定。(0001)C面上低的表面扩散激活能促进了该表面的平坦生长。

项目成果

Silicon Carbide, Materials, Processing and Applications in Electronic Devices(Edited by Moumita Mukherjee)

碳化硅、材料、加工及其在电子器件中的应用（Moumita Mukherjee 编辑）

• 发表时间: 2011
• 作者: Shigeto R.Nishitani;Kensuke Togase;Yosuke Yamamoto;Hiroyasu Fujiwara;Tadaaki Kaneko
• 通讯作者: Tadaaki Kaneko

First principles calculations on surface energy of SiC

SiC表面能的第一性原理计算

• 发表时间: 2009
• 作者: Hideyuki Kanematsu;Hajime Ikigai;Sheelagh A. Campbell and Iwona B Beech;K.Togase
• 通讯作者: K.Togase

第5回状態図・熱力学セミナー「エネルギー・環境・資源問題と状態図の役割」

第五届相图/热力学研讨会“能源/环境/资源问题和相图的作用”

• 发表时间: 2011
• 作者: 田中秀樹;西山奈津美;宮原稔;西谷滋人
• 通讯作者: 西谷滋人

古典的核生成理論の見直しと第一原理計算

经典成核理论与第一性原理计算回顾

• 发表时间: 2011
• 作者: 河内哲哉;西谷滋人
• 通讯作者: 西谷滋人

状態図と統計力学の基礎

相图和统计力学的基础知识

• 发表时间: 2011
• 作者: 金川恵一;中島一紀;北川尚美;米本年邦;西谷滋人
• 通讯作者: 西谷滋人