Development of ZnO thermoelectric thin film with fine particle using plasma sputtering and plasma flow

利用等离子体溅射和等离子体流开发细颗粒 ZnO 热电薄膜

基本信息

  • 批准号:
    21740401
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

For the realization of the high-performance thermoelectric thin film materials, the study of mechanism of the internal construction control in sintered specimen on Spark Plasma Sintering process and development of ZnO thermoelectric thin film with fine particle using plasma sputtering and plasma flow were carried out.
为了实现高性能的热电薄膜材料,研究了放电等离子烧结过程中烧结试件内部结构控制的机理,并利用等离子体溅射和等离子流控技术研制了具有细小颗粒的氧化锌热电薄膜。

项目成果

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