Synthesis of boron doped diamond under high pressure environment

高压环境下掺硼金刚石的合成

• 批准号: 21750156
• 负责人: KAWASHIMA Tetsuya
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21750156/
• 关键词: ダイヤモンド; 超伝導; 高圧合成

In this study, we adopted the new high-pressure synthetic technique, which carbonate is used as diamond producing catalysts, and achieved to prepare the boron doped superconducting diamond crystal under lower P-T condition reported before. Our sample showed maximum superconducting transition temperature (T_c) at 10.3 K, which is the highest T_c ever reported about high-pressure synthetic diamond.

本研究采用高压合成新技术，以碳酸盐为金刚石生长催化剂，实现了在较低的P-T条件下制备掺硼超导金刚石晶体。我们的样品在10.3K处具有最高的超导转变温度（T_c），这是迄今所报道的高压合成金刚石的最高T_c。

项目成果

ホウ素ドープ超伝導ダイヤモンドの高圧合成

高压合成掺硼超导金刚石

• 发表时间: 2009
• 作者: 上田将史;藤田悠介;白旗崇;御崎洋二;川嶋哲也・室町英治
• 通讯作者: 川嶋哲也・室町英治

ホウ素ドープ超伝導ダイヤモンドの高圧合成III

高压合成硼掺杂超导金刚石III

• 发表时间: 2011
• 作者: 山崎祐亮;竹本真;藤原秀紀;松坂裕之;川嶋哲也・室町英治
• 通讯作者: 川嶋哲也・室町英治

ホウ素ドープ超伝導ダイヤモンドの高圧合成II

高压合成硼掺杂超导金刚石II

• 发表时间: 2010
• 作者: 渡邊美穂;堀内裕章;白旗崇;御崎洋二;堀内宏明・眞塩広之・穂坂正博・竹内利行・石田真太郎・久新荘一郎・奥津哲夫・平塚浩士;川嶋哲也・室町英治
• 通讯作者: 川嶋哲也・室町英治