半導体クラスレート骨格を持つ新規超伝導体の高圧合成と物性評価

半导体笼形骨架新型超导体的高压合成及物性评价

• 批准号: 18750182
• 负责人: 福岡 宏
• 金额: $ 2.37万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18750182/
• 关键词: 高圧合成; クラスレート; 超伝導; ゲルマニウム; ホウ素

本研究では、高温高圧反応によって、14族元素を中心とした典型元素からなる新しい半導体ネットワークの構築と、新規超伝導体の合成を目的としている。最終年度となる本年度(19年度)に得られた主な結果は以下の通りである。1.一連のSm-Ge二元系新化合物の合成と構造、物性評価SmとGeの混合比を様々に変えて13万気圧、1000〜1300℃で高温高圧反応を試みたところ、超伝導化合物であるLaGe_5と同形構造のSmGe_5,Cu_3Au型構造を持つSmGe_3,およびYGe_3型層状構造を持つSmGe_3の三つの新化合物の合成に成功した。SmGe_5については単結晶を得ることができ、その結晶構造の詳細を解析した。本化合物は金属伝導性を示すが、電子軌道計算から、そのフェルミ準位付近のバンドは、Geの4p軌道とSmの5d軌道が混成して出来ていることが明らかになり、Smは骨格に電子を供与するだけでなく、軌道の混成をとおして伝導バンドの構造にも関与していることが明らかになった。また、SmGe_3の組成を持つ二つの多形は合成条件の微妙な違いによって生成する。2.半導体ネットワークの一部を白金で置換した化合物の合成と物性評価LaPtGe_3,EuPtGe_3,SmPtGe_2を合成し、その電気伝導性、磁気挙動の測定を行った。とくにSmPtGe2は新構造を持つ化合物で、ピラセン(PiraceneC_14H_8)と同じ形状の部分構造が互い違いに積層し結合した興味深い構造をもつ金属化合物である。3.超伝導化合物LaGe_3の単相合成と電気物性の評価超伝導相LaGe_3の単相合成に初めて成功し、電気伝導度、磁化率、比熱などの物性測定を行った。更に軌道計算によってそのバンド構造を解明した。

This study focuses on high-temperature and high-pressure reaction systems, group 14 elements, center systems, and typical elements. The construction and construction of new semiconductors and the synthesis of new superconductors are the purpose of this project. In the final year of the year (2019), the results of the current year (2019) are the following. 1. Synthesis, structure and physical properties evaluation of a new Sm-Ge binary compound compoundに変えて 130,000 ば pressure, 1000~1300℃ high temperature and high pressure reaction を test みたところ, super conductive compound The synthesis of new compounds with the same structure of LaGe_5 and SmGe_5, Cu_3Au type structure and YGe_3 layered structure, and SmGe_3 of YGe_3 type were successfully completed. SmGe_5's crystal structure has been analyzed in detail. This compound has metal conductivity display, electron orbital calculation, quasi-position close proximity, Ge 4p orbital and Sm 5d orbital blending and release.ことが明らかになり、Smは Bone Grid に电をprovide and するだけでなく、Orbital のmix成をとおして伝道バンドのstructural にも关 and していることが明らかになった.また、SmGe_3のComponent をhold つ二つのPolymorphic はSynthetic condition のsubtle なviolation いによってGeneration する. 2.Synthesis and physical property evaluation of semiconductor ネットワークのpart of platinum-substituted compound LaPtGe_3, EuPtGe_3, SmPtGe_2 were synthesized and measured for electrical conductivity and magnetic conductivity. PiraceneC_14H_8, a new structural compound of SmPtGe2, PiraceneC_14H_8 ) is the same as the shape of the partial structure of the mutual violation of the laminated layer of the combination of the interesting and deep structure of the metal compound of the metal compound. 3. Evaluation of the single-phase synthesis and electrical physical properties of the superconducting compound LaGe_3. The initial single-phase synthesis of the superconducting phase LaGe_3 was successful, and the electrical conductivity, magnetic susceptibility, and specific heat were measured and the physical properties were measured. Updated orbital calculations and structure analysis.

项目成果

(underconstruction)

（建设中）

High-pressure sjTithesis and structures of New Barium Chromium Sulfides, BaCr4S7 and Ba_2Cr_5S<10>, with NewTypeFace-Sharine CrS_6 Structure Units

具有NewTypeFace-Sharine CrS_6结构单元的新型硫化铬钡BaCr4S7和Ba_2Cr_5S<10>的高压合成和结构

• 发表时间: 2007
• 期刊: Bull. Soc. Chem. Jpn. 80
• 作者: Daisuke Kawagoe;Ryo Sawai and Tsuyoshi Ishiduka;澤井亮;川越大輔;H. Fukuoka
• 通讯作者: H. Fukuoka

Raman study of semiconductor clathrates under high pressure,Phvs. Status Solidi B-basic Solid State Phvs.

高压下半导体包合物的拉曼研究，Phvs。

• 发表时间: 2007
• 期刊: Phys. Status Solidi B-basic Solid State Phys 244
• 作者: Daisuke Kawagoe;Ryo Sawai and Tsuyoshi Ishiduka;澤井亮;川越大輔;H. Fukuoka;H. Shimizu;T. Kume
• 通讯作者: T. Kume

High-Pressure Synthesis of FiUed Skutterudite Compounds Containing Group 14or 17 Elements

含14或17族元素的填​​充方钴矿化合物的高压合成

• 发表时间: 2007
• 作者: Daisuke Kawagoe;Ryo Sawai and Tsuyoshi Ishiduka;澤井亮;川越大輔;H. Fukuoka;H. Shimizu;T. Kume;T.Rachi;福岡 宏;M.A.Avila;福岡 宏・山中昭司;大津史子・吉川真由美・福岡 宏・山中昭司;H. Fukuoka
• 通讯作者: H. Fukuoka

川井式高圧装置を用いたスクッテルダイト化合物の高圧合成と物性

使用Kawai式高压设备高压合成方钴矿化合物及其物理性质

• 发表时间: 2006
• 期刊: 高圧力の科学と技術 16巻4号
• 作者: H. Ozeki;T. Okabayashi;M. Tanimoto;S. Saito;and S. Bailleux;H. Fukuoka;H. Fukuoka;H. Shimizu;T. Fukushima;M.A.Avila;福岡 宏
• 通讯作者: 福岡 宏