Selective formation of germanium-on-insulator structures based on liquid phase epitaxy by laser annealing

基于激光退火液相外延选择性形成绝缘体上锗结构

• 批准号: 21760009
• 负责人: HOSOI Takuji
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760009/
• 关键词: ゲルマニウム; GOI基板; SGOI基板; 液相エピタキシャル成長; 半導体基板; SiGe(シリコンゲルマニウム); GOI(Germanium On Insulator); GOI (Germanium On Insulator)

GOI (Ge-On-Insulator) and SGOI(SiGe-On-Insulator) structures are promising candidates for next-generation semiconductor substrate. We proposed and demonstrated the selective fabrication of single-crystalline Ge wires and high-quality fully relaxed SiGe layers on insulators by liquid-phase epitaxy.

绝缘体上锗（Ge-On-Insulator，GOI）和绝缘体上硅锗（SiGe-On-Insulator，SGOI）结构是下一代半导体衬底的理想选择。我们提出并证明了选择性制造的单晶锗线和高品质的全弛豫SiGe层的绝缘体上的液相外延。

项目成果

Fabrication of Ge Nano-Wires on Insulators Using Lateral Liquid-Phase Epitaxy

采用横向液相外延法在绝缘体上制备 Ge 纳米线

• 发表时间: 2009
• 作者: Chiaki Yoshimoto;Tatsuya Hashimoto;Takuji Hosoi
• 通讯作者: Takuji Hosoi

急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製

快速加热液相外延生长法制备高Ge浓度SGOI结构

• 发表时间: 2011
• 作者: 荻原伸平、鈴木雄一朗、吉本千秋、細井卓治;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性

快速加热液相外延生长法制备的SGOI结构中Ge浓度的退火温度依赖性

• 发表时间: 2010
• 作者: 荻原伸平;鈴木雄一朗;吉本千秋;細井卓治;志村考功;渡部平司
• 通讯作者: 渡部平司

Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy

横向液相外延法制备单晶局部绝缘体上锗结构

• 发表时间: 2009
• 作者: Tatsuya Hashimoto;Chiaki Yoshimoto;Takuji Hosoi
• 通讯作者: Takuji Hosoi