Selective formation of germanium-on-insulator structures based on liquid phase epitaxy by laser annealing
Selective formation of germanium-on-insulator structures based on liquid phase epitaxy by laser annealing
基于激光退火液相外延选择性形成绝缘体上锗结构
批准号：
21760009
负责人：
HOSOI Takuji
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2010
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英文摘要
GOI (Ge-On-Insulator) and SGOI(SiGe-On-Insulator) structures are promising candidates for next-generation semiconductor substrate. We proposed and demonstrated the selective fabrication of single-crystalline Ge wires and high-quality fully relaxed SiGe layers on insulators by liquid-phase epitaxy.
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Fabrication of Ge Nano-Wires on Insulators Using Lateral Liquid-Phase Epitaxy
采用横向液相外延法在绝缘体上制备 Ge 纳米线
采用横向液相外延法在绝缘体上制备 Ge 纳米线
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Chiaki Yoshimoto, Tatsuya Hashimoto, Takuji Hosoi]
通讯作者：
Takuji Hosoi
急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製
快速加热液相外延生长法制备高Ge浓度SGOI结构
快速加热液相外延生长法制备高Ge浓度SGOI结构
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[荻原伸平、鈴木雄一朗、吉本千秋、細井卓治, 志村考功, 渡部平司]
通讯作者：
渡部平司
急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性
快速加热液相外延生长法制备的SGOI结构中Ge浓度的退火温度依赖性
快速加热液相外延生长法制备的SGOI结构中Ge浓度的退火温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[荻原伸平, 鈴木雄一朗, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司]
通讯作者：
渡部平司
Fabrication of Single-Crystal Local Germanium-on-Insulator Structures by Lateral Liquid-Phase Epitaxy
横向液相外延法制备单晶局部绝缘体上锗结构
横向液相外延法制备单晶局部绝缘体上锗结构
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tatsuya Hashimoto, Chiaki Yoshimoto, Takuji Hosoi]
通讯作者：
Takuji Hosoi
Development of SiC-based plasmonic transistors with Schottky source/drain
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批准号：24686008
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$17.14万
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财政年份：2012
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负责人：HOSOI Takuji
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依托单位：