Development of SiC-based plasmonic transistors with Schottky source/drain
Development of SiC-based plasmonic transistors with Schottky source/drain
具有肖特基源极/漏极的基于 SiC 的等离子体晶体管的开发
批准号：
24686008
负责人：
HOSOI Takuji
金额：
$17.14万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係
4H-SiC(0001)表面热氧化过程中氧化物种类与氧化速率的关系
4H-SiC(0001)表面热氧化过程中氧化物种类与氧化速率的关系
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永井 大介, 福島 悠太, 勝 義仁, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司]
通讯作者：
渡部 平司
Dielectric Properties of Thermally Grown S102 0n 4H-SiC (0001) Substrates
热生长 S102 0n 4H-SiC (0001) 基板的介电性能
热生长 S102 0n 4H-SiC (0001) 基板的介电性能
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.605
发表时间：
2013
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
[Atsushi Noro, Yusuke Tomita, Yushu Matsushita, Joseph J. Walish, Edwin L. Thomas, 細井卓治]
通讯作者：
細井卓治
4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割
水分子在4H-SiC(0001)表面湿氧化中的作用
水分子在4H-SiC(0001)表面湿氧化中的作用
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永井 大介, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司]
通讯作者：
渡部 平司
Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal Si02/SiC interface property
氢退火引起的移动离子对热 SiO2/SiC 界面性能的影响
氢退火引起的移动离子对热 SiO2/SiC 界面性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Atsushi Sugihara, Shigemi Mizukami, Yuki Yamada , Kazuyuki Koike, and Terunobu Miyazaki, アタウット・チャンタパン]
通讯作者：
アタウット・チャンタパン
Mobile Ions Generated in Thermal Sio_2 on SiC by Hydrogen Passivation and Its Impact on Interface Property
氢钝化SiC上热Sio_2中产生的移动离子及其对界面性质的影响
氢钝化SiC上热Sio_2中产生的移动离子及其对界面性质的影响
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Sanada, Y. Kunihashi, H. Gotoh, K. Onomitsu, M. Kohda, J. Nitta, P. V. Santos, and T. Sogawa, 細井卓治]
通讯作者：
細井卓治
共 16 条
Selective formation of germanium-on-insulator structures based on liquid phase epitaxy by laser annealing
-
批准号：21760009
-
项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额：$2.83万
-
财政年份：2009
-
负责人：HOSOI Takuji
-
依托单位：
海外基金