Development of SiC-based plasmonic transistors with Schottky source/drain

具有肖特基源极/漏极的基于 SiC 的等离子体晶体管的开发

• 批准号: 24686008
• 负责人: HOSOI Takuji
• 金额: $ 17.14万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24686008/
• 关键词: SiC; パワーデバイス; ゲート絶縁膜; ショットキー接合; MOSFET; MOSトランジスタ

项目成果

4H-SiC(0001)面の熱酸化における酸化種と酸化速度の関係

4H-SiC(0001)表面热氧化过程中氧化物种类与氧化速率的关系

• 发表时间: 2014
• 作者: 永井 大介;福島 悠太;勝 義仁;細井 卓治;志村 考功;渡部 平司
• 通讯作者: 渡部 平司

4H-SiC(0001)面のウェット酸化における水分子の役割

水分子在4H-SiC(0001)表面湿氧化中的作用

• 发表时间: 2014
• 作者: 永井 大介;細井 卓治;志村 考功;渡部 平司
• 通讯作者: 渡部 平司

Dielectric Properties of Thermally Grown S102 0n 4H-SiC (0001) Substrates

热生长 S102 0n 4H-SiC (0001) 基板的介电性能

• DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.605
• 发表时间: 2013
• 期刊: Materials Science Forum
• 作者: Atsushi Noro;Yusuke Tomita;Yushu Matsushita;Joseph J. Walish;Edwin L. Thomas;細井卓治
• 通讯作者: 細井卓治

Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal Si02/SiC interface property

氢退火引起的移动离子对热 SiO2/SiC 界面性能的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: Atsushi Sugihara;Shigemi Mizukami;Yuki Yamada ;Kazuyuki Koike;and Terunobu Miyazaki;アタウット・チャンタパン
• 通讯作者: アタウット・チャンタパン

Mobile Ions Generated in Thermal Sio_2 on SiC by Hydrogen Passivation and Its Impact on Interface Property

氢钝化SiC上热Sio_2中产生的移动离子及其对界面性质的影响

• 发表时间: 2012
• 作者: H. Sanada;Y. Kunihashi;H. Gotoh;K. Onomitsu;M. Kohda;J. Nitta;P. V. Santos;and T. Sogawa;細井卓治
• 通讯作者: 細井卓治