Study of photorefractive memory using gallium nitride crystals

氮化镓晶体光折变存储器的研究

• 批准号: 21760035
• 负责人: FUJIMURA Ryushi
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760035/
• 关键词: 光学素子・装置・材料; フォトリフラクティブ効果; 窒化物結晶; ホログラフィックメモリー; 窒化ガリウム結晶

Volume holographic memory (VHM) has been expected to be a next-generation optical data storage system because of its large storage capacity and fast transfer rate. In this study, we investigated the recording properties in wide band-gap nitride crystals as a new recording material of VHM. Their recording models revealed in this study play an important role to develop and improve the recording material in future.

体全息存储器（VHM）因其存储容量大、传输速率快等优点，有望成为下一代光学数据存储系统。在本研究中，我们研究了宽禁带氮化晶体作为一种新的VHM记录材料的记录性能。本研究揭示的录音模型对今后录音材料的开发和完善具有重要意义。

项目成果

アンドープ窒化アルミニウムにおける光誘起吸収

未掺杂氮化铝的光致吸收

• 发表时间: 2010
• 作者: 長井徹;藤村隆史;志村努;黒田和男
• 通讯作者: 黒田和男

Photorefractive effect in undoped aluminum nitride

未掺杂氮化铝的光折变效应

• 发表时间: 2010
• 期刊: Opt.Lett. Vol.35
• 作者: T.Nagai;R.Fujimura;T.Shimura;K.Kuroda
• 通讯作者: K.Kuroda

AlNバルク結晶のフォトリフラクティブ効果

AlN块状晶体的光折变效应

• 发表时间: 2010
• 作者: 長井徹;藤村隆史;志村努;黒田和男
• 通讯作者: 黒田和男