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Study of photorefractive memory using gallium nitride crystals

Study of photorefractive memory using gallium nitride crystals
氮化镓晶体光折变存储器的研究
批准号:
21760035
负责人:
FUJIMURA Ryushi
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2010

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
体全息存储器(VHM)因其存储容量大、传输速度快而被认为是下一代光存储系统。本研究以宽禁带氮化物晶体作为VHM的新型记录材料,研究其记录特性。本研究揭示的录音模式对今后录音材料的发展和完善具有重要的指导意义。
英文摘要
Volume holographic memory (VHM) has been expected to be a next-generation optical data storage system because of its large storage capacity and fast transfer rate. In this study, we investigated the recording properties in wide band-gap nitride crystals as a new recording material of VHM. Their recording models revealed in this study play an important role to develop and improve the recording material in future.
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会议论文
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者: [長井徹, 藤村隆史, 志村努, 黒田和男]
通讯作者: 黒田和男
Photorefractive effect in undoped aluminum nitride
未掺杂氮化铝的光折变效应
DOI: --
发表时间: 2010
期刊: Opt.Lett. Vol.35
影响因子: --
作者: [T.Nagai, R.Fujimura, T.Shimura, K.Kuroda]
通讯作者: K.Kuroda
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者: [長井徹, 藤村隆史, 志村努, 黒田和男]
通讯作者: 黒田和男
Development of high sensitive holographic recording materials based on wide-bandgap semiconductor
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