Study of photorefractive memory using gallium nitride crystals
Study of photorefractive memory using gallium nitride crystals
批准号:
21760035
负责人:
FUJIMURA Ryushi
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2010
中文摘要
体全息存储器(VHM)因其存储容量大、传输速率快等优点,有望成为下一代光学数据存储系统。在本研究中,我们研究了宽禁带氮化晶体作为一种新的VHM记录材料的记录性能。本研究揭示的录音模型对今后录音材料的开发和完善具有重要意义。
英文摘要
Volume holographic memory (VHM) has been expected to be a next-generation optical data storage system because of its large storage capacity and fast transfer rate. In this study, we investigated the recording properties in wide band-gap nitride crystals as a new recording material of VHM. Their recording models revealed in this study play an important role to develop and improve the recording material in future.
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会议论文
アンドープ窒化アルミニウムにおける光誘起吸収
未掺杂氮化铝的光致吸收
DOI:
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发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
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作者:
[長井徹, 藤村隆史, 志村努, 黒田和男]
通讯作者:
黒田和男
Photorefractive effect in undoped aluminum nitride
未掺杂氮化铝的光折变效应
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Opt.Lett. Vol.35
影响因子:
--
作者:
[T.Nagai, R.Fujimura, T.Shimura, K.Kuroda]
通讯作者:
K.Kuroda
AlNバルク結晶のフォトリフラクティブ効果
AlN块状晶体的光折变效应
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長井徹, 藤村隆史, 志村努, 黒田和男]
通讯作者:
黒田和男
Development of high sensitive holographic recording materials based on wide-bandgap semiconductor
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批准号:23686011
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$9.65万
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财政年份:2011
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负责人:FUJIMURA Ryushi
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依托单位:
海外基金