Photorefractive effect in undoped aluminum nitride
Photorefractive effect in undoped aluminum nitride
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未掺杂氮化铝的光折变效应
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Kuroda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nagai;R.Fujimura;T.Shimura;K.Kuroda
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利用电吸收效应在半绝缘 GaN 薄膜中进行两束耦合
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Optical Review 12.6
影响因子：
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作者：
H.Tanaka;T.Yasuda;K.Fujita;T.Tsutsui;安田 剛;安田 剛;T.Yasuda et al.;T.Yasuda et al.;T.Yasuda et al.;安田 剛;安田 剛;安田 剛;小西美鈴;T.Innami他
通讯作者：
T.Innami他
高光强度下名义上未掺杂的 Sn2P2S6 中的波混合
DOI：
10.1007/s00340-009-3405-3
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Shumelyuk;M. Wesner;M. Imlau;S. Odoulov
通讯作者：
S. Odoulov
半绝缘硫化镉在 633 nm 处的光折变效应
影响因子：
4
作者：
P. Tayebati;J. Kumar;S. Scott
通讯作者：
S. Scott
利用光折变效应在半绝缘 InP 和 GaAs 中进行四波混频
影响因子：
4
作者：
A. Glass;A. Johnson;D. Olson;W. Simpson;A. Ballman
通讯作者：
A. Ballman
GaP 中的光折变效应。
影响因子：
3.6
作者：
K. Kuroda;Y. Okazaki;T. Shimura;H. Okamura;M. Chihara;M. Itoh;I. Ogura
通讯作者：
I. Ogura