Development of high sensitive holographic recording materials based on wide-bandgap semiconductor
Development of high sensitive holographic recording materials based on wide-bandgap semiconductor
基于宽带隙半导体的高灵敏全息记录材料的研制
批准号：
23686011
负责人：
FUJIMURA Ryushi
金额：
$9.65万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2015-03-31
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DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
[T.Nagai, R.Fujimura, T.Shimura, K.Kuroda]
通讯作者：
K.Kuroda
Photorefractive properties of undoped AlN crystals in the deep UV spectral region
未掺杂 AlN 晶体在深紫外光谱区的光折变特性
未掺杂 AlN 晶体在深紫外光谱区的光折变特性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一, Ryushi Fujimura and Yuki Kubo]
通讯作者：
Ryushi Fujimura and Yuki Kubo
深紫外励起によるAlN結晶の吸収スペクトル変化
深紫外激发下AlN晶体吸收光谱的变化
深紫外激发下AlN晶体吸收光谱的变化
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[久保雄紀, 藤村隆史]
通讯作者：
藤村隆史
AIN結晶の深紫外線領域におけるフォトリフラクティブ特性
AIN晶体在深紫外区的光折变特性
AIN晶体在深紫外区的光折变特性
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[久保雄紀, 藤村隆史]
通讯作者：
藤村隆史
Study of photorefractive memory using gallium nitride crystals
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批准号：21760035
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2009
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负责人：FUJIMURA Ryushi
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依托单位：
海外基金