Development of high sensitive holographic recording materials based on wide-bandgap semiconductor
基于宽带隙半导体的高灵敏全息记录材料的研制
基本信息
- 批准号:23686011
- 负责人:
- 金额:$ 9.65万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Photorefractive properties of undoped aluminum nitride
未掺杂氮化铝的光折变特性
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Nagai;R.Fujimura;T.Shimura;K.Kuroda
- 通讯作者:K.Kuroda
Photorefractive properties of undoped AlN crystals in the deep UV spectral region
未掺杂 AlN 晶体在深紫外光谱区的光折变特性
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:石井良太;金田昭男;船戸充;川上養一;Ryushi Fujimura and Yuki Kubo
- 通讯作者:Ryushi Fujimura and Yuki Kubo
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