Development of high sensitive holographic recording materials based on wide-bandgap semiconductor

基于宽带隙半导体的高灵敏全息记录材料的研制

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Photorefractive properties of undoped aluminum nitride
未掺杂氮化铝的光折变特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Nagai;R.Fujimura;T.Shimura;K.Kuroda
  • 通讯作者:
    K.Kuroda
Photorefractive properties of undoped AlN crystals in the deep UV spectral region
未掺杂 AlN 晶体在深紫外光谱区的光折变特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石井良太;金田昭男;船戸充;川上養一;Ryushi Fujimura and Yuki Kubo
  • 通讯作者:
    Ryushi Fujimura and Yuki Kubo
深紫外励起によるAlN結晶の吸収スペクトル変化
深紫外激发下AlN晶体吸收光谱的变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    久保雄紀;藤村隆史
  • 通讯作者:
    藤村隆史
AIN結晶の深紫外線領域におけるフォトリフラクティブ特性
AIN晶体在深紫外区的光折变特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    久保雄紀;藤村隆史
  • 通讯作者:
    藤村隆史
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