Development of Three Dimensional Strain Field Scanning Technique with Nano-Scale Special Resolution by EBSD Method and Application to Strain Silicon Semiconductor

EBSD法纳米级特殊分辨率三维应变场扫描技术的研制及其在应变硅半导体中的应用

• 批准号: 21760086
• 负责人: KIMACHI Hirohisa
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760086/
• 关键词: EBSD法; ひずみ測定; ナノ空間分解能; 菊池パターン; 弾性変形; 塑性変形; シリコン; 銅; SEM・EBSDその場観察; ニッケル

In this study, evaluation of elastic and plastic strains by 2D and 3D strain mapping techniques by EBSD method was conducted. In the former, SEM in-situ 4 point bending test machine was manufactured, and band width variation in Kikuchi pattern of Si under 1000μst was measured. In the latter, the relationships between OIM parameters and plastic strain were discussed, the GROD parameter was most effective for plastic strain evaluation. And the last, 3 dimensional plastic strain mapping was conducted by serial-sectioning/EBSD method and crystallographic orientation rotation in 3 dimensional was observed.

在这项研究中，弹性和塑性应变的评价进行了二维和三维应变映射技术的EBSD方法。在前者中，我们制作了SEM原位四点弯曲试验机，测量了硅的菊池图形在1000μ s下的带宽变化。在后者中，OIM参数和塑性应变之间的关系进行了讨论，GROD参数是最有效的塑性应变评估。最后，用连续切片/EBSD方法进行了三维塑性应变成像，观察到了三维晶体学取向旋转。

项目成果

引張負荷による塑性ひずみのEBSD評価

EBSD 评估拉伸载荷引起的塑性应变

• 发表时间: 2012
• 作者: 來海博央;他3名
• 通讯作者: 他3名

引張負荷により生じる塑性ひずみのEBSD評価

拉伸载荷引起的塑性应变的 EBSD 评估

• 发表时间: 2012
• 作者: 林翔太郎;高橋昭如;伊藤盛生・阿知和秀希・浅岡幸靖・來海博央
• 通讯作者: 伊藤盛生・阿知和秀希・浅岡幸靖・來海博央