Development of MBE growth technology of InN-based alloys using quasi-LPE method

准LPE法InN基合金MBE生长技术的开发

• 批准号: 21760237
• 负责人: YAMAGUCHI Tomohiro
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Kogakuin University (2011)Ritsumeikan University (2009-2010)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760237/
• 关键词: 半導体; 分子線エピタキシー; 薄膜・量子構造; 製作・評価技術; 窒化物半導体; 混晶; 作製・評価技術; 分子線エピタキシー法

The quasi-LPE(Liquid Phase Epitaxy) method, which has been proposed as a new MBE(Molecular Beam Epitaxy) growth of InN, was applied to the growth of InGaN. By controlling the phase separation occurred during the growth of InGaN, simple and reproducible growth of In(Ga) N/InGaN periodic structure and thick InGaN film was realized. This method was also developed to the growth of Mg-doping technique in order to obtain p-type materials.

准液相外延法作为一种新的氮化铟分子束外延生长方法，被应用于氮化铟镓的生长。通过控制InGaN生长过程中的相分离，实现了In（Ga）N/InGaN周期结构和InGaN厚膜的简单、可重复生长。这种方法也发展到Mg掺杂技术的生长，以获得p型材料。

项目成果

Various Application of DERI (Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation) Method in Growth of RF-MBE

DERI（自由基束照射液滴消除）方法在 RF-MBE 生长中的各种应用

• 发表时间: 2010
• 作者: T.Yamaguchi;H.Umeda;T Sakamoto;T.Araki;E.Yoon;Y.Nanishi
• 通讯作者: Y.Nanishi

窒化物半導体薄膜の製造方法

氮化物半导体薄膜的制造方法

• 发表时间: 2009

Application of DERI Method to InGaN Growth and Mg Doping

DERI方法在InGaN生长和Mg掺杂中的应用

• 发表时间: 2011
• 作者: Y.Nanishi;T.Yamaguchi;K.Wang;T.Araki;E.Yoon
• 通讯作者: E.Yoon

ラジカルモニタリング技術を応用したDERI法InGaN成長の検討

应用自由基监测技术的DERI法InGaN生长研究

• 发表时间: 2012
• 作者: 阪口順一;上松尚;油谷匡胤;齊藤巧;山口智広;荒木努;名西〓之;T.Fujishima;E.Matioli;T.Palacios
• 通讯作者: T.Palacios

Development of Radical Beam Monitoring Techniques in RF-MBE Growth of InN

InN RF-MBE 生长中自由基束监测技术的发展

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Yamaguchi;T.Fujishima;T.Araki;E.Yoon;Y.Nanishi
• 通讯作者: Y.Nanishi