Quantitative analysis of SEM image contrasts with consideration of diffraction phenomenon and challenges of nano-characterization

考虑衍射现象和纳米表征挑战的 SEM 图像对比定量分析

• 批准号: 21651054
• 负责人: KUWANO Noriyuki
• 金额: $ 2.1万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21651054/
• 关键词: 走査電子顕微鏡; 像コントラスト; 電子回折; 後方散乱電子; チャネリング; 微細構造解析転位; バーガースベクトル; 微細構造解析; 後方散乱回折; 走査型電子顕微鏡; 二次電子; 格子欠陥; 2次電子; 転位

In this research project, the formation mechanism of electron channeling(EC) contrasts in SEM-BSE(back-scatter electron) images was investigated by examining the influences of EC contrasts to the tilting of specimen and the position of an electron detector. The experimental results revealed that the EC contrasts are explained by the relative relationship between the intensity distribution of primary electron waves and the positions of atomic columns in crystalline specimen. A new procedure for characterization of dislocations was proposed.

在本研究项目中，通过研究EC对比度对样品倾斜和电子探测器位置的影响，研究了SEM-BSE（背散射电子）图像中电子沟道（EC）对比度的形成机制。实验结果表明，EC对比度是通过初级电子波强度分布与晶体样品中原子柱位置之间的相对关系来解释的。提出了一种位错表征的新程序。

项目成果

SEM技術現在から未来へ(材料

SEM技术从现在到未来（材料

• 发表时间: 2011
• 作者: T.Sakurai;et al.;桑野範之
• 通讯作者: 桑野範之

走査電子顕微鏡で見たシリコン系半導体薄膜の微細構造

用扫描电子显微镜观察硅基半导体薄膜的微观结构

• 发表时间: 2009
• 作者: 板倉賢;桑野範之;立花繁明;佐藤馨
• 通讯作者: 佐藤馨

Microscopic studies of metal-induced lateral crystallization in SiGe, Masaru Itakura, Shunji Masumori

SiGe 中金属诱导横向结晶的显微研究，Masaru Itakura，Shunji Masumori

• 发表时间: 2010
• 期刊: Hiroshi Kanno, Taizoh Sadoh and Masanobu Miyao, Applied Physics Letters
• 作者: 中畑涼;小野哲矢;簡梅芳;宮内啓介;遠藤銀朗;山本晋資;Noriyuki Kuwano
• 通讯作者: Noriyuki Kuwano

TEM and SEM Analysis for Formation Mechanism of Tin Whiskers

锡晶须形成机理的TEM和SEM分析

• 发表时间: 2010
• 作者: N.Kuwano;et al.
• 通讯作者: et al.

走査電顕による転位コントラストの発現機構について

关于扫描电镜产生位错衬度的机制

• 发表时间: 2010
• 作者: 青木優;他;桑野範之立花繁明
• 通讯作者: 桑野範之立花繁明