Microscopic studies of metal-induced lateral crystallization in SiGe, Masaru Itakura, Shunji Masumori
Microscopic studies of metal-induced lateral crystallization in SiGe, Masaru Itakura, Shunji Masumori
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SiGe 中金属诱导横向结晶的显微研究，Masaru Itakura，Shunji Masumori
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Noriyuki Kuwano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中畑涼;小野哲矢;簡梅芳;宮内啓介;遠藤銀朗;山本晋資;Noriyuki Kuwano
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影响因子：
4
作者：
H. Kanno;K. Toko;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
H. Kanno;K. Toko;T. Sadoh;M. Miyao
电场中镍硅化物介导的非晶硅结晶生产多晶硅
影响因子：
3.2
作者：
Jin Jang;S. Park;K. Kim;B. Cho;W. Kwak;S. Yoon
通讯作者：
S. Yoon
SiO2 上非晶 Si1-xGex (0≤x≤1) 的 Ge 分数相关金属诱导横向结晶
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Appl.Phys.Lett. Vol.82
影响因子：
--
作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;宮尾 正信 他;I.Tsunoda et al.;I.Tsunoda et al.;T.Sadoh et al.;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;T.Sadoh 他;T.Sadoh 他;宮尾 正信 他;H.Kanno 他;H.Kanno et al.
通讯作者：
H.Kanno et al.
SiO_2上电场辅助金属诱导非晶SiGe横向结晶
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys. 45(in press)
影响因子：
--
作者：
H.Kanno;et al.
通讯作者：
et al.
SiON 上多晶 Si1-XGeX (0≤x≤0.5) 薄膜中原位掺杂硼的 Ge 分数依赖性改善热稳定性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Journal Applied Physics Vol.97
影响因子：
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作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.
通讯作者：
M.miyao et al.