エックス線共鳴磁気散乱法を用いたスピンホール効果の観測

利用 X 射线共振磁散射观察自旋霍尔效应

基本信息

  • 批准号:
    21654047
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.98万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2009
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2009 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

エピタキシャル人工格子とX線共鳴磁気散乱を組み合わせた回折実験をもちいて、スピンホール効果に伴うスピン蓄積の直接観測を目指した。21年度には、エピタキシャル人工格子としてPtと絶縁材料の組み合わせで良好な膜成長が得られる材料探索と,成長条件の最適化をおこない、MgO(001)基板上に良質なPt/γ-Al_2O_3(001)の組み合わせがエピタキシャルに成長することを見出した。当該年度は高輝度光科学研究センターBL39XUにおいて、X線共鳴磁気散乱による回折実験を行った。PtおよびAl_2O_3の設計膜厚は、それぞれ5nm、1nmとし、これを30周期分積層した。この薄膜を幅約1mm長さ、0.5mmに加工し、電流を印加した。室温においてPtのL_<II>共鳴端E=11.56keVの円偏光を入射し、同時にf=1kHz、振幅3Aの交流電流を印加し、PINフォトダイオードをディテクタに用いて実験を行った。回折条件を1次の超格子反射(n=1)に合わせて、fおよび2fのロックイン検波を行った。I_<AC>=3Aの超格子反射の強度は非常に弱く、AC信号/DC信号比が10^<-6>であった。12時間積分したが、電流により誘起されたスピン蓄積に対応する信号は、有意な大きさではなかった。期待された結果が得られなかった理由として、印加電流が小さく電流密度を稼げなかったことと、本質的に今回用いたPtのLII付近のX線は、その侵入長が非常に長く、薄膜試料では入射光のほとんどすべてが膜と相互作用することなく透過してしまうことが挙げられる。
Artificial lattice and X-ray resonance are used to detect the accumulation of magnetic particles. In 2001, the growth of Pt/γ-Al_2O_3(001) on MgO(001) substrate was investigated. During the year, high-brightness optical science research was carried out in the field of X-ray resonance scattering. The design thickness of Pt and Al_2O_3 films is 5nm, 1nm and 30 nm. The film width is about 1mm long, 0.5 mm, and the processing time is about 1 minute. At room temperature, Pt and L_<II>resonance end E=11.56keV polarized light incident, f=1kHz, amplitude 3A AC current input, PIN frequency input and output. Reversal conditions: 1 order hyperlattice reflection (n=1) I_<AC>=3A The intensity of the superlattice reflection is very weak, and the AC signal/DC signal ratio is 10^<-6>. 12. Time integration, current accumulation, and signal generation The reason for expecting this result is that the current is small, the current density is small, the nature of the current is large, the X-ray near the Pt and LII is large, the penetration length is very long, and the film sample is large, and the incident light is transmitted through the film interaction.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

柳原 英人其他文献

The Role of “Zidou-Shien” teacher in Elementary School in Japan :Teachers supporting children with difficulties
日本小学“紫豆师恩”老师的作用:教师支援困难儿童
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小泉 洸生;柳原 英人;Manami YAMAGUCHI
  • 通讯作者:
    Manami YAMAGUCHI
異種元素導入(La, N)による4H-SiC上のSiO(N)成長速度と元素分布の変化
由于引入不同元素(La、N),4H-SiC 上 SiO(N) 生长速率和元素分布的变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田結荘 健;柳原 英人;作田良太,平井悠久,喜多浩之
  • 通讯作者:
    作田良太,平井悠久,喜多浩之
NiO(001)上のFe極薄膜における磁気異方性の電界制御
NiO(001)上超薄Fe薄膜磁各向异性的电场控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    嶋山 潤;日高 温志;柳原 英人;介川 裕章
  • 通讯作者:
    介川 裕章
癌焼灼治療用板状酸化鉄ナノ粒子の開発
开发用于癌症消融治疗的板状氧化铁纳米颗粒
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    堀内あかり;関 淳史;井坂大智;岸本幹雄;柳原 英人;喜多 英治
  • 通讯作者:
    喜多 英治
導電性スピネル型酸化物 CoV2O4(001)エピタキシャル薄膜の作製
导电尖晶石氧化物CoV2O4(001)外延薄膜的制备
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    日高 温志;小泉 洸生;柳原 英人
  • 通讯作者:
    柳原 英人

柳原 英人的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('柳原 英人', 18)}}的其他基金

酸化物/金属強磁性層間に生じる交換結合の電気的制御
氧化物/金属铁磁层之间交换耦合的电控制
  • 批准号:
    23K26535
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Electric control of exchange coupling at interface of ferromagnetic oxide/metal
铁磁氧化物/金属界面交换耦合的电控制
  • 批准号:
    23H01842
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
スピネルフェライトによるスピンフィルタ型スピン源の作製
使用尖晶石铁氧体制造自旋滤波器型自旋源
  • 批准号:
    20042005
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ルチル型遷移金属酸化物のMBE成長とそのデバイス化
金红石型过渡金属氧化物的MBE生长及其器件开发
  • 批准号:
    15760496
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

スピンホール効果から軌道ホール効果へ
从自旋霍尔效应到轨道霍尔效应
  • 批准号:
    23K23207
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高制御ドーピングによる巨大なスピンホール効果を持つ金属系材料の探索
通过高度控制的掺杂寻找具有巨大自旋霍尔效应的金属材料
  • 批准号:
    22K04198
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
スピンホール効果から軌道ホール効果へ
从自旋霍尔效应到轨道霍尔效应
  • 批准号:
    22H01939
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
逆スピンホール効果による電流と三次元スピン偏極分布の同時測定
同时测量由于反自旋霍尔效应而产生的电流和三维自旋极化分布
  • 批准号:
    21K05015
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ゼロ磁場制御可能な面直磁化スピン注入源を用いたスピンホール効果トランジスタの開発
利用可在零磁场下控制的垂直磁化自旋注入源开发自旋霍尔效应晶体管
  • 批准号:
    13J08663
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピンホール効果におけるエッジスピン磁化の直接検出
直接检测自旋霍尔效应中的边缘自旋磁化强度
  • 批准号:
    24651165
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
軌道自由度を考慮したスピンホール効果の理論
考虑轨道自由度的自旋霍尔效应理论
  • 批准号:
    11J06748
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体ナノ構造におけるスピンホール効果の理論研究
半导体纳米结构自旋霍尔效应的理论研究
  • 批准号:
    10J04841
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
2次元不規則電子系の新奇現象""共形不変性""と""量子スピンホール効果""に関する研究
二维无序电子系统中新现象“共形不变性”和“量子自旋霍尔效应”研究
  • 批准号:
    08J01885
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピン注入による半導体スピンホール効果の電気的検出
自旋注入半导体自旋霍尔效应的电学检测
  • 批准号:
    19656003
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 1.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了