磁気・電気相関効果に基づくスピン再配列の実験的検証
磁気・電気相関効果に基づくスピン再配列の実験的検証
批准号:
21656154
负责人:
谷山 智康
金额:
$2.05万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2010
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英文摘要
電子のスピン制御をその基本原理として組み込んだ高機能性エレクトロニクスにおいては、サブマイクロメートル以下の大きさを持つ微小磁性体の磁区構造を、電圧印加方式で操作する技術の開発が急務である。本研究では、強磁性ドット/強誘電体界面における逆磁歪効果や磁性体と強誘電体との電子状態の混成効果が、スピン再配列に与える影響を検証・解明することを通して、電圧印加型磁気ビット操作技術の礎を確立することを目的とする。本年度は、(1)強磁性微小構造/チタン酸バリウムヘテロ構造の作製、(2)強磁性微小構造/チタン酸バリウムヘテロ構造の磁気特性、(3)強磁性微小構造/チタン酸バリウムヘテロ構造への電圧印加に伴う磁気特性の変調効果、について調査した。具体的には、種々のアスペクト比を持つ鉄ドット配列を作製し、磁気力顕微鏡を用いて鉄の磁区構造を評価した。その結果、アスペクト比の関数として明瞭な環流磁区構造の変化が観測された。さらにチタン酸バリウムに電圧を印加して局所的に歪みを誘起するために、チタン酸バリウム上に間隔10ミクロンの2つの非磁性電極を形成し、その間に0.5ミクロン×1.0ミクロンのサイズを有する鉄ドットを配置した構造を作製した。この非磁性電極間に電圧を印加したところ、電圧+30Vを印加した時には環流磁区構造に変化は観察されなかったのに対して、電圧-30Vを印加した時に環流磁区構造の単磁区構造への変化が観察された。この結果は、鉄/チタン酸バリウム界面における圧電歪みが鉄の磁気異方性を変調した結果として理解される。また、極性による磁区構造変化の有無は電圧印加用電極直下におけるチタン酸バリウムのインプリント効果によるものと推察される。
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Switching of Magnetic Anisotropy due to Interfacial Strain at Fe/BaTiO_3
Fe/BaTiO_3 界面应变引起的磁各向异性切换
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Shirahata, T.Nozaki, H.Taniguchi, M.Itoh, T.Taniyama]
通讯作者:
T.Taniyama
Interfacial Strain Induced Magnetic Anisotropy of Epitaxial Fe_3O_4/BaTiO_3 Heterostructures
外延Fe_3O_4/BaTiO_3异质结构的界面应变诱导磁各向异性
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Shirahata, T.Nozaki, M.Itoh, T.Taniyama]
通讯作者:
T.Taniyama
強磁性体/強誘電体ヘテロ構造における電圧誘起磁区構造変化
铁磁/铁电异质结构中电压引起的磁畴结构变化
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[野崎泰一郎, 内藤朋之, 白幡泰浩, 伊藤満, 谷山智康]
通讯作者:
谷山智康
酸化物材料を利用したスピントロニクスの最近の進展
使用氧化物材料的自旋电子学的最新进展
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T.Taniyama, M.Itoh, P.Sharma, H.Kimura, A.Inoue, 谷山智康]
通讯作者:
谷山智康
Switching of Magnetization Process of Glassy Ferromagnetic Films Caused by Interfacial Strain
界面应变引起的玻璃态铁磁薄膜磁化过程的切换
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T.Taniyama, M.Itoh, P.Sharma, M.Fukuhara, A.Inoue]
通讯作者:
A.Inoue
共 12 条
異種トポロジカル・ソリトンの交差相関の学理構築と革新的材料・デバイス機能の創出
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批准号:24H00380
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$31.2万
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财政年份:2024
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
革新的スピン波材料のデザイン手法の開拓
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批准号:23KK0086
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项目类别:Fund for the Promotion of Joint International Research (International Collaborative Research)
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资助金额:$13.4万
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财政年份:2023
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
人工トポロジカル構造が誘発するスピンダイナミクスの学理構築と制御技術の開発
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批准号:21H04614
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.96万
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财政年份:2021
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
低消費電力スピントロニクスを指向した電気駆動型垂直磁化マルチフェロイクス
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批准号:18F18353
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2018
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
マルチフェロイク超薄膜へテロ構造における電荷/歪誘起電気-磁気交差相関の解明
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批准号:13F03065
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2013
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
強磁性体・強誘電体・半導体ヘテロ界面におけるナノスケール磁気現象の戦略的操作
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批准号:10F00077
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2010
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
金属・半導体ナノ構造電子系におけるスピン蓄積と磁気光学検出
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批准号:07F07402
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2007
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
近藤共鳴に対するスピン偏極電子の影響
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批准号:16654055
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2004
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
ナノ磁性金属スピンフィルターによる半導体スピンプローブ
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批准号:16031206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2004
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
磁区構造制御を用いた強磁性金属/半導体ナノ接合によるスピン検出
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批准号:15034206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2003
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
ジグザグ形状微小磁性体における磁気・伝導現象
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批准号:12750580
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2000
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负责人:谷山 智康
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依托单位:
国内基金
海外基金
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基于磁性材料的柔性光波导传感关键技术研发
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:蒋卫锋
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高性能软磁铁氧体材料技术创新中心建设
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批准号:2026ZYQ111
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:王昀
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依托单位:
基于磁性共价有机骨架材料净化与质谱/高分辨质谱联用的红曲真菌毒素精准检测与风险筛查新方法研究
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批准号:2026JJ80803
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:荆辉华
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依托单位:
数据驱动的高性能稀土单分子磁体理性设计与开发
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批准号:JCZRMS202602051
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
硅藻基磁响应微米机器人在智能靶向递药中的研究
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批准号:JCZRQNB202600495
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
微流控芯片介导的磁性载药纳米探针靶向清除高侵袭性循环肿瘤细胞及抗转移中药成分筛选
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批准号:JCZRQNB202600785
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
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批准号:2026JJ90074
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:陈昊舟
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依托单位:
磁介质设计调控弱磁性矿物选择性捕集及其与磁流体的协同强化分选机理
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批准号:2026JJ50454
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:郑霞裕
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依托单位:
磁性传感器的数据库建设及在煤矿设备中的应用
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批准年份:2026
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负责人:冯雨
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贴片式功率电感的感值建模与结构分析的研发
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批准年份:2026
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负责人:曹珂
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