ナノ磁性金属スピンフィルターによる半導体スピンプローブ

使用纳米磁性金属旋转过滤器的半导体旋转探针

基本信息

  • 批准号:
    16031206
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2005
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

半導体中の電子スピンを検出する方法として、従来光学的手法が用いられてきたが、本研究では、スピンエレクトロニクスデバイスへ実装することを念頭におき、より現実的なスピン検出法として、スピンフィルター効果を利用する手法の実現可能性について検討することを目的とする。具体的には、直接遷移半導体GaAs中に励起したスピン偏極電子がFe細線に流入するときに、Fe細線のフェルミエネルギーにおけるスピン依存状態密度により、電気伝導度が電子のスピンに依存する性質を利用して、光電流のスピン依存性に基づいて検討する。A10x絶縁障壁を介したFe細線とGaAs基板との接合試料を、電子線リソグラフィーおよび超高真空蒸着法により作成した。作成した試料に対して膜面に垂直に波長865nmの円偏光を照射し、GaAs中にスピン偏極電子を励起する。励起電子のスピン方向とFeの磁気モーメントの方向との相対関係を光弾性変調器を用いて変化させることで、励起電子のスピンに依存する電気伝導度を計測した。計測したスピン依存光電流は200K付近に特徴的な構造を示し、一方で、無偏光を照射して計測したスピン依存しない光電流は200K付近にプラトーを示した。これらの結果に基づいて、Fe細線によるスピンフィルター効率を求めると、200K付近で極大を取ることが明らかとなった。スピンに依存しない光電流が200K付近でプラトーを示すことから、このスピンフィルター効率の極大はA10x層を介したスピン依存トンネル効果に起因するものであると推察される。しかしながら、スピンフィルター効率は高々2%程度であり、更なる効率の向上には接合界面のより精密な制御が必要であると考えられる。
In this study, we propose a new method for detecting electrons in semiconductors, which is based on optical techniques. We propose a new method for detecting electrons in semiconductors, which is based on optical techniques. Specifically, the excitation in the direct transfer semiconductor GaAs, the polarization of electrons, the inflow of Fe fine lines, the generation of Fe fine lines, the dependence of state density, the utilization of electron conductivity, and the dependence of photocurrent are discussed. A10x insulation barrier made by Fe fine wire and GaAs substrate bonding sample, electron wire separation and ultrahigh vacuum evaporation The sample was prepared by polarizing electron excitation at a wavelength of 865nm perpendicular to the film surface. Measurement of the electrical conductivity of the excited electrons depending on the direction and phase relationship of the excited electrons Measurement of photocurrent dependence at 200K near the structure of the characteristic, a side, no polarization irradiation, measurement of photocurrent dependence at 200K near the characteristic The results of this study are as follows: The dependence of the photocurrent on 200K is shown in the A10x layer. The efficiency is higher than 2%, and the precision of the joint interface is necessary.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Optically pumped spin polarized carrier transport across Fe wire /GaAs interface
Fe 线/GaAs 界面上的光泵自旋极化载流子传输
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Taniyama;E.Wada;Y.Yamazaki
  • 通讯作者:
    Y.Yamazaki
Spin selective transport at the ferromagnetic wire/GaAs interface
铁磁线/GaAs界面的自旋选择性输运
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Taniyama;K.Hamaya;Y.Yamazaki
  • 通讯作者:
    Y.Yamazaki
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

谷山 智康其他文献

FeRh/Ga-FeRhヘテロ薄膜における磁気異方性と交換結合
FeRh/Ga-FeRh 异质薄膜中的磁各向异性和交换耦合
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    椎名 亮太;鈴木 一平;伊藤 満;谷山 智康
  • 通讯作者:
    谷山 智康
Electric Field Induced Magnetization Switching in Multiferroic Heterostructures
多铁异质结构中的电场诱导磁化翻转
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    I. Suzuki;Y. Hamasaki;M. Itoh;and T. Taniyama;谷山 智康;T. Taniyama;T. Taniyama
  • 通讯作者:
    T. Taniyama
第一原理計算によるMo-Ti BCC固溶体の物性評価
使用第一性原理计算评估 Mo-Ti BCC 固溶体的物理性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木 聡悟;小森 祥央;井村 敬一郎;谷山 智康;金子昂弘,南茜,井田駿太郎,関戸信彰,吉見享祐
  • 通讯作者:
    金子昂弘,南茜,井田駿太郎,関戸信彰,吉見享祐
LSMO/SrTiO3(011)における界面格子歪み相と緩和相の磁気特性
LSMO/SrTiO3(011)界面晶格应变相和松弛相的磁性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大橋 裕生;鈴木 聡悟;小森 祥央;谷山 智康
  • 通讯作者:
    谷山 智康
Co/Ru/Co人工反強磁性体における磁気異方性への電界効果
电场对 Co/Ru/Co 人造反铁磁体磁各向异性的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    久田 優一;小森 祥央;井村 敬一郎;谷山 智康
  • 通讯作者:
    谷山 智康

谷山 智康的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('谷山 智康', 18)}}的其他基金

異種トポロジカル・ソリトンの交差相関の学理構築と革新的材料・デバイス機能の創出
异质拓扑孤子互相关理论建立及创新材料与器件功能的创造
  • 批准号:
    24H00380
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
革新的スピン波材料のデザイン手法の開拓
开发创新的自旋波材料设计方法
  • 批准号:
    23KK0086
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (International Collaborative Research)
人工トポロジカル構造が誘発するスピンダイナミクスの学理構築と制御技術の開発
人工拓扑结构引发的自旋动力学理论的建立及控制技术的发展
  • 批准号:
    21H04614
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
低消費電力スピントロニクスを指向した電気駆動型垂直磁化マルチフェロイクス
用于低功率自旋电子学的电驱动垂直磁化多铁性材料
  • 批准号:
    18F18353
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
マルチフェロイク超薄膜へテロ構造における電荷/歪誘起電気-磁気交差相関の解明
多铁性超薄异质结构中电荷/应变感应电磁互相关的阐明
  • 批准号:
    13F03065
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強磁性体・強誘電体・半導体ヘテロ界面におけるナノスケール磁気現象の戦略的操作
铁磁/铁电/半导体异质界面纳米级磁现象的策略操纵
  • 批准号:
    10F00077
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁気・電気相関効果に基づくスピン再配列の実験的検証
基于磁电相关效应的自旋重排实验验证
  • 批准号:
    21656154
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
金属・半導体ナノ構造電子系におけるスピン蓄積と磁気光学検出
金属/半导体纳米结构电子系统中的自旋积累和磁光检测
  • 批准号:
    07F07402
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
近藤共鳴に対するスピン偏極電子の影響
自旋极化电子对近藤共振的影响
  • 批准号:
    16654055
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
磁区構造制御を用いた強磁性金属/半導体ナノ接合によるスピン検出
使用磁域结构控制使用铁磁金属/半导体纳米结进行自旋检测
  • 批准号:
    15034206
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

相似海外基金

ビームライン常設型フレキシブル高エネルギー中性子偏極デバイスの開発
开发永久安装在束线上的灵活高能中子极化装置
  • 批准号:
    22K20364
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Theoretical study on chiral-induced spin selectivity
手性诱导自旋选择性的理论研究
  • 批准号:
    20J01875
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development and application of an epithermal neutron polarizing device
超热中子极化装置的研制及应用
  • 批准号:
    18K11929
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of techniques for epi-thermal polarized neutrons and determination of enhancement of CP-violation in 139La
超热极化中子技术的发展和 139La CP 破坏增强的测定
  • 批准号:
    19K21047
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Investigation of unconventional superconducting phenomena induced in ferromagnetic semiconductors
研究铁磁半导体中诱发的非常规超导现象
  • 批准号:
    17K05492
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Spin current generated by controlling the spatial inversion symmetry in atomic layer structures
通过控制原子层结构的空间反演对称性产生的自旋电流
  • 批准号:
    17K05484
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Frontier Spin ARPES and SXRIXS under external perturbations of functional materials
功能材料外部扰动下的前沿自旋 ARPES 和 SXRIXS
  • 批准号:
    16H03851
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Detection of spin polarization in supercurrent using quantum devices
使用量子器件检测超电流中的自旋极化
  • 批准号:
    24840014
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
磁性体/半導体ヘテロ構造におけるスピン伝導機構の解明と新原理スピン検出技術の創出
阐明磁/半导体异质结构中的自旋输运机制并创建新原理自旋检测技术
  • 批准号:
    12J07390
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Fullerene-transition metal hybrid spin injector for nanocarbon spintronics
用于纳米碳自旋电子学的富勒烯-过渡金属混合自旋注入器
  • 批准号:
    24360266
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了