近藤共鳴に対するスピン偏極電子の影響

自旋极化电子对近藤共振的影响

• 批准号: 16654055
• 负责人: 谷山 智康
• 金额: $ 2.11万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 2005
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16654055/
• 关键词: 近藤効果; スピン注入; スピン蓄積; スピン偏極電子

スピン偏極電子を近藤合金に注入することで、近藤状態がどのように変化するかという学術的に極めて重要な課題について実験的に検討することを目的とする。具体的には強磁性細線と近藤合金との接合を作成し、電気的にスピン偏極電子を近藤合金に注入し、近藤合金の電気抵抗への影響を調査した。また、光学的手法を用いたスピン注入法の可能性についても検討した。電子線リソグラフィーおよび超高真空蒸着を用いてCuFe/AlOx/Co細線接合を作成し、非局所電極配置を用いてCuFe中のスピン蓄積を計測した。その結果、生じたスピン蓄積による非局所電極Co, CuFe間の起電力の磁場依存性は5Kにおいて正負の磁場に対してそれぞれ特徴的な2つのとびを示した。一方、Al/AlOx/Co接合試料に対しては、正負の磁場に対してそれぞれ一つのとびを示す。これらの相違については現在検討中であるが、接合界面付近における近藤合金中のFeモーメントの振る舞いと関連があると推察される。さらに本研究では、CuFe/GaAs接合試料に対して円偏光を照射することで、GaAs中にスピン偏極電子を励起し、そのスピン偏極電子がCuFe中に注入されるときのCuFeの電気抵抗変化を計測した。その結果、円偏光照射時において、5Kでの電気抵抗が非照射時と比較して低下する傾向が観測された。光照射による発熱の効果については、今後十分に検討する必要があるものの、近藤合金におけるスピン偏極電子の影響を調査する手法として期待できると考えられる。

Kondo Electron, Kondo Alloy, Injection, Kondo State, Transformation It is a very important academic topic and a very important topic. Specifically, the ferromagnetic thin wires and Kondo alloys are jointed and made, the electromagnetic biased electrons and Kondo alloys are injected, and the electromagnetic resistance of Kondo alloys is investigated. The optical technique and the possibility of using the optical injection method are also possible. The electronic wire リソグラフィーおよび ultra-high vacuum evaporation is made by bonding CuFe/AlOx/Co thin wires, and the non-local electrode configuration is measured by using CuFe medium accumulation.そのRESULT,生じたスピン Accumulation, non-local electrode Co, The electric power and magnetic field dependence between CuFe and 5K are determined by the positive and negative magnetic fields. On the one hand, the Al/AlOx/Co bonded sample is shown as a positive and negative magnetic field.これらの conflicting についてはNow 検検中であるが、Joining interface pays close におけるKondo Alloy's のFeモーメントの正る Dance いとrelated and deduce the される. In this study, the CuFe/GaAs bonded sample was irradiated with polarized light and the GaAs medium was polarized. The polar electrons are excited and the biased electrons are injected into CuFe and the electric resistance of CuFe is measured. The results are as follows: the resistance of 5K electric power when irradiated with polarized light, the resistance of 5K when not irradiated, and the comparison of low and low tendencies. The effect of light irradiation is hot, Kondo is very necessary in the future. Alloy におけるスピン Bipolar Electron のInfluence を Investigation する Technique として Expectation できるとtest えられる.