高機能薄膜デバイス開発のための形状記憶アクティブ歪制御基板の創製

创建形状记忆主动应变控制基板以开发高性能薄膜器件

• 批准号: 21656189
• 负责人: 西田 稔
• 金额: $ 2.05万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21656189/
• 关键词: アクティブ歪制御; 形状記憶効果; 可逆形状記憶効果; 走査電子顕微鏡; 薄膜デバイス; 密着性; 角度選択型反射電子像; 歪コントラスト; 透過電子顕微鏡; 結晶化; 結晶成長

種々の薄膜材料に望みの方向と大きさの『変形応力(歪)』を動的に加えることができる形状記憶合金を利用した『アクティブ歪制御基板』の創製を行い,薄膜デバイスと一体化させデバイスの特性に及ぼす『歪』の効果を検証し,高機能薄膜デバイスの開発に関する基礎的知見を得ることを目的とした.本年度は前年度に実験場の問題点として提起した「形状記憶合金薄板上へのSi結晶膜の形成と密着性の評価」について引き続き検討を行ったが,密着性の良いSi結晶膜を形成させることが出来なかった.しかしながら部分的に形成したSi薄膜を低加速FE-SEMによって観察した結果,角度選択型反射電子(AsB)像および後方散乱電子回折(EBSD)を併用することでSi中の歪分布が定量的に解析できることが明らかとなった.さらにAsB像は形状記憶合金の内部構造,特にマルテンサイトの双晶欠陥,バリアント配列の広領域観察・解析に有効な手段と成り得るという新たな知見が得られた.結果として当初予定していたSi/SiO_2/形状記憶合金/SiO_2/Si多層膜を基本とするアクティブ歪制御基板構造の試作と特性評価の実施には至らなかったが,今後も1)スパッタリングによる形状記憶合金の成膜,結晶化および記憶熱処理,2)合金薄膜のパターニング(リフトオフ法),3)Si基板部加工(異方性エッチング)4)Au電極形成,5)Si薄膜形成等について継続して検討を行う.

Kind of 々 の looking thin film material に み の direction と big き さ の "- shaped 応 force (crooked)" を move に plus え る こ と が で き る を using shape memory alloy し た "ア ク テ ィ ブ slanting system royal substrate" の created を い, film デ バ イ ス と integration さ せ デ バ イ ス の characteristics に and ぼ す "tilt" の unseen fruit を 検 し, high functional thin film デ バ イ ス の open 発 に masato す る Basic knowledge: を obtain る とを とを objective: と た た. は before this year's annual に be の 験 field problem point と し て filed し た "on the shape memory alloy plate へ の の Si crystal membrane formation と indiscrete sex の review 価" に つ い て lead き 続 き 検 line for を っ た が, indiscrete さ を い の good Si crystal membrane formed せ る こ と が out な か っ た. し か し な が ら part に form し た Si thin film を low speed FE - SE M に よ っ て 観 examine し た results, Angle type sentaku reflection electron (AsB) like お よ び back scattered electron inflexion test results with electron backscattered diffraction (EBSD) を and す る こ と で の slanting distribution in Si が quantitative analytical で に き る こ と が Ming ら か と な っ た. さ ら に AsB like は の internal structure, shape memory alloy, に マ ル テ ン サ イ ト の twin owe 陥, バ リ ア ン ト Match column の 観 examine his design field, analytical に have sharper な means と into り get る と い う new た な knowledge が have ら れ た. Results と し て had designated し て い た Si/SiO_2 / shape memory alloy/SiO_2 / Si multilayer を basic と す る ア ク テ ィ ブ slanting royal substrate structure の try make と characteristics evaluation 価 の be applied に は to ら な か っ た が, future も 1) ス パ ッ タ リ ン グ に よ る shape memory alloy の film-forming, crystallization お よ hot 処 び memory, 2) alloys Film の パ タ ー ニ ン グ (リ フ ト オ フ method), 3) Si substrate of processing (different party エ ッ チ ン グ) 4) Au electrode is formed, 5) Si thin film formation etc に つ い て 継 続 し て う beg を 検 line.

项目成果

Ti-Ni合金B19'マルテンサイトにおける自己調整構造の結晶学

Ti-Ni合金B19马氏体自调整结构的晶体学

• 发表时间: 2010
• 作者: 今川翔平;春名匠;安田恭野;本村俊一;河野英人
• 通讯作者: 河野英人

走査電子顕微鏡による急速溶融成長GOI薄膜の結晶性評

使用扫描电子显微镜评估快速熔融生长的 GOI 薄膜的结晶度

• 发表时间: 2010
• 作者: 今川翔平;春名匠;安田恭野;本村俊一
• 通讯作者: 本村俊一

AuCu合金蒸着Si基板上に成膜したβ-FeSi_2薄膜の微細構造評価

AuCu合金沉积Si基体上沉积的β-FeSi_2薄膜的微观结构评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 今川翔平;春名匠;安田恭野;本村俊一;河野英人;犬塚純平;貴島宏
• 通讯作者: 貴島宏

AIC-SiGe 薄膜の微細構造に及ぼすAl層表面酸化の影響

Al层表面氧化对AIC-SiGe薄膜微观结构的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: 今川翔平;春名匠;安田恭野;本村俊一;河野英人;犬塚純平
• 通讯作者: 犬塚純平