Development of a new superconductor on oxide single crystals by an electrostatic carrier doping
通过静电载流子掺杂开发氧化物单晶新型超导体
基本信息
- 批准号:21686002
- 负责人:
- 金额:$ 15.81万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
KTaO_3 is an oxide semiconductor that has low solid solubility to impurity atoms. Therefore, charge carrier density in KTaO_3 has been limited below 1. 4×10^<14> cm^<-2> by chemical doping. We developed an electric double layer transistor on(100) surface of KTaO_3 single crystal by employing a new device configuration and an ionic liquid, and we induced one order of magnitude higher charge carrier density than that by chemical doping. KTaO_3 showed metallic conduction at low temperature and zero resistance state below 45 mK. This indicates superconductivity in KTaO_3, which is the first example of a new superconductor developed by the electric field-effect method.
KTaO_3是一种氧化物半导体,对杂质原子具有较低的固溶度。因此,通过化学掺杂,KTaO_3中的载流子密度被限制在1.4×10~(-2)cm~(-2)以下。采用一种新的器件结构和离子液体,在KTaO_3单晶的(100)面上制备了双电层晶体管,其载流子密度比化学掺杂提高了一个数量级。KTaO_3在低温下为金属导电,在45mK以下为零阻态。这表明了KTaO_3的超导电性,这是用电场效应方法研制的新超导体的第一个例子。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Low temperature operation of a field-effect transistor of SrTiO_3 with an robust atomie-layer-deposition gate dielectric
具有坚固原子层沉积栅极电介质的 SrTiO_3 场效应晶体管的低温运行
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大参宏昌;垣内弘章;安武潔;上野和紀
- 通讯作者:上野和紀
Observation of anomalous Hall effect in EuO epitaxial thin films grown by a pulse laser deposition
- DOI:10.1063/1.3557050
- 发表时间:2011-02
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:T. Yamasaki;K. Ueno;A. Tsukazaki;T. Fukumura;M. Kawasaki
- 通讯作者:T. Yamasaki;K. Ueno;A. Tsukazaki;T. Fukumura;M. Kawasaki
電場誘起による電解液/酸化物界面を用いた新規超伝導体の開発
利用电场诱导电解质/氧化物界面开发新型超导体
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Nagatomi;S.Tanuma;K.Goto;佐々木海渡;早澤紀彦;上野和紀
- 通讯作者:上野和紀
Electrically Induced Ferromagnetism at Room Temperature in Cobalt-Doped Titanium Dioxide
- DOI:10.1126/science.1202152
- 发表时间:2011-05-27
- 期刊:
- 影响因子:56.9
- 作者:Yamada, Y.;Ueno, K.;Kawasaki, M.
- 通讯作者:Kawasaki, M.
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