Development of a new superconductor on oxide single crystals by an electrostatic carrier doping

通过静电载流子掺杂开发氧化物单晶新型超导体

基本信息

项目摘要

KTaO_3 is an oxide semiconductor that has low solid solubility to impurity atoms. Therefore, charge carrier density in KTaO_3 has been limited below 1. 4×10^<14> cm^<-2> by chemical doping. We developed an electric double layer transistor on(100) surface of KTaO_3 single crystal by employing a new device configuration and an ionic liquid, and we induced one order of magnitude higher charge carrier density than that by chemical doping. KTaO_3 showed metallic conduction at low temperature and zero resistance state below 45 mK. This indicates superconductivity in KTaO_3, which is the first example of a new superconductor developed by the electric field-effect method.
KTaO_3是一种氧化物半导体,对杂质原子具有较低的固溶度。因此,通过化学掺杂,KTaO_3中的载流子密度被限制在1.4×10~(-2)cm~(-2)以下。采用一种新的器件结构和离子液体,在KTaO_3单晶的(100)面上制备了双电层晶体管,其载流子密度比化学掺杂提高了一个数量级。KTaO_3在低温下为金属导电,在45mK以下为零阻态。这表明了KTaO_3的超导电性,这是用电场效应方法研制的新超导体的第一个例子。

项目成果

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Low temperature operation of a field-effect transistor of SrTiO_3 with an robust atomie-layer-deposition gate dielectric
具有坚固原子层沉积栅极电介质的 SrTiO_3 场效应晶体管的低温运行
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大参宏昌;垣内弘章;安武潔;上野和紀
  • 通讯作者:
    上野和紀
Observation of anomalous Hall effect in EuO epitaxial thin films grown by a pulse laser deposition
  • DOI:
    10.1063/1.3557050
  • 发表时间:
    2011-02
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    T. Yamasaki;K. Ueno;A. Tsukazaki;T. Fukumura;M. Kawasaki
  • 通讯作者:
    T. Yamasaki;K. Ueno;A. Tsukazaki;T. Fukumura;M. Kawasaki
電場誘起による電解液/酸化物界面を用いた新規超伝導体の開発
利用电场诱导电解质/氧化物界面开发新型超导体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Nagatomi;S.Tanuma;K.Goto;佐々木海渡;早澤紀彦;上野和紀
  • 通讯作者:
    上野和紀
酸化物絶縁体表面での電場誘起超伝導
氧化物绝缘体表面的电场诱导超导
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    梅原弘毅;垣内弘章;安武潔;大参宏昌;喜多理王;上野和紀
  • 通讯作者:
    上野和紀
Electrically Induced Ferromagnetism at Room Temperature in Cobalt-Doped Titanium Dioxide
  • DOI:
    10.1126/science.1202152
  • 发表时间:
    2011-05-27
  • 期刊:
  • 影响因子:
    56.9
  • 作者:
    Yamada, Y.;Ueno, K.;Kawasaki, M.
  • 通讯作者:
    Kawasaki, M.
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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