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Development of new field-effect device with ionic liquid gating
新型离子液体门控场效应器件的研制
基本信息
- 批准号：25708039
- 负责人：
- 金额：$ 16.89万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Field-Induced Superconductivity in Electric Double Layer Transistors
- DOI：10.7566/jpsj.83.032001
- 发表时间：2014-03-01
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：Ueno, Kazunori;Shimotani, Hidekazu;Iwasa, Yoshihiro
- 通讯作者：Iwasa, Yoshihiro
Electric field-effect control of superconductivity : materials development and peculiar superconductivity in two dimension
超导的电场效应控制：材料发展和二维特殊超导
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Pengfei Duan;Nobuhiro Yanai;Yuki Kurashige;and Nobuo Kimizuka;岡本丈典;Kazunori Ueno
- 通讯作者：Kazunori Ueno
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- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：石川遼子;久保雅仁;成影典之;鹿野良平;原弘久;篠田一也;末松芳法;石川真之介;吉田正樹;McKenzie;D.;Kobayashi;K.;Rachmeler;L.;Auchere;F.;Trujillo Bueno;J.;CLASP1 & 2 team;Kazunori Ueno
- 通讯作者：Kazunori Ueno
Electric-field-induced superconductivity on an oxide/electrolyte interface
氧化物/电解质界面上的电场诱导超导
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：石元孝佳;古山通久;安藤景太;Kazunori Ueno
- 通讯作者：Kazunori Ueno
Electric double layer transistor on oxide: device development and manupulation of superconductivity
氧化物上的双电层晶体管：器件开发和超导性操控
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Toriumi;S.;Kazunori Ueno
- 通讯作者：Kazunori Ueno
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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$ 16.89万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)