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Controlling electronic states of GaN quantum dots by external electric field and its application to the spectroscopy

外电场控制GaN量子点电子态及其在光谱学中的应用

基本信息

批准号：
21710138
负责人：
KAKO Satoshi
金额：
$ 2.91万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

The objective in this study is the understanding and the controlling via external electric field of electronic states in a GaN quantum dot with strong built-in electric field. We have developed the optical and electrical experimental setup with the capability to perform both single dot spectroscopy and applying electric field. We have observed fine-structure splitting in a self-assembled GaN quantum dot for the first time as a nitride material system. We have also successfully observed the fine-structure splitting in a GaN quantum dot embedded in AlGaN/GaN nanowires, and have found that the biexciton binding energy reaches as large as 52 meV at the exciton emission energy of 4.2 eV. Both the fine-structre splitting and biexction binding energy are the significant physical quantities reflecting the interaction between electrons and holes confined in a quantum dot.

本研究的目的是了解并通过外电场控制具有强内建电场的GaN量子点中的电子态。我们开发了具有单点光谱和外加电场能力的光学和电学实验装置。我们首次在自组装GaN量子点中观察到作为氮化物材料系统的精细结构分裂。我们还成功地观察到了嵌入在AlGaN/GaN纳米线中的GaN量子点的精细结构分裂，并发现在激子发射能量为4.2 eV时，双激子结合能高达52 meV。细结构分裂能和双激结合能都是反映量子点内电子与空穴相互作用的重要物理量。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

位置制御GaNナノワイヤ量子ドットの微細構造分離と励起子分子発光

位置控制的GaN纳米线量子点的精细结构分离和激子分子发射

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
加古敏;Kihyun Choi;有田宗;岩本敏;荒川泰彦
通讯作者：
荒川泰彦

MOCVD選択成長による単一GaN/AlGaNナノワイヤ量子ドットの形成とその光学特性～最大励起子分子束縛エネルギーの観測～

MOCVD选择性生长单根GaN/AlGaN纳米线量子点的形成及其光学性质~最大激子分子结合能的观测~

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
崔埼鉉;加古敏;有田宗貴;荒川泰彦;崔〓鉉
通讯作者：
崔〓鉉

PLE分光によるGaN/AIN単一量子ドット中のエネルギー緩和過程の観測

利用 PLE 光谱观察 GaN/AlN 单量子点的能量弛豫过程

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
P.Podemski;M.Holmesl;加古敏;有田宗貴;荒川泰彦
通讯作者：
荒川泰彦

Exciton fine-structure splitting in GaN/AlN quantum dots

GaN/AlN 量子点中的激子精细结构分裂

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
C. Kindel;S. Kako;T. Kawano;H. Oishi;Y. Arakawa;G. Hoenig;M. Winkelnkemper;A. Schliwa;A. Hoffmann;D. Bimberg
通讯作者：
D. Bimberg

PLE 分光によるGaN/AlN単一量子ドット中のエネルギー緩和過程の観測

PLE 光谱观察 GaN/AlN 单量子点能量弛豫过程