Herstellung und Untersuchung epitaktischer Metall-Isolator Resonant-Tunneling-Bauelemente für die Silizium-Nanoelektronik

共振隧道(RT)-Bauelemente，De auf Metall-Isolator Silizium-Schichtsystem en basieren，gehören aufgrund ihrer elektrischen Eigenschaften and ihrer Potellen Kompatibilität zur konvenonellen Silizium Technologie zu den ausichtsreichsten Grunausteinen einer Zukünftigen Nanoelektronik。书名：Zil des Forschungsvorhabens ist die Realisierung and theoretische Beschreibung solcher RT-Bauelemente.在更多的项目中，我们从理论上分析了Modellierung von RT-Dioden，Dem Wachstum and der elektrischen Charakterisierung von CaF2-Schichten，Sowie ihrer Modifizierung für die Herstellung von CoSi2/CaF2-Vielfachschichten erzielt.我们的目标是：(1)从表面上看，从表面上看是这样的。(2)Die Herstellung，Charakterisierung and Optimierung von RT-Dioden and-Transistoren in Diesem MaterialSystem and Ihre Bewertung ALS Schaltelemente für die Nanoelektronik.(3)模具理论与实验分析替代材料体系。

Resonant-Tunneling (RT)-Bauelemente, die auf Metall-IsolatorSilizium-Schichtsystemen basieren, gehören aufgrund ihrer elektrischen Eigenschaften und ihrer potentiellen Kompatibilität zur konventionellen Siliziumtechnologie zu den aussichtsreichsten Grundbausteinen einer zukünftigen Nanoelektronik. Ziel des Forschungsvorhabens ist die Realisierung und theoretische Beschreibung solcher RT-Bauelemente. In der ersten Projektperiode wurden wesentliche Fortschritte bei der theoretischen Modellierung von RT-Dioden, dem Wachstum und der elektrischen Charakterisierung von CaF2-Schichten, sowie ihrer Modifizierung für die Herstellung von CoSi2/CaF2-Vielfachschichten erzielt. Die weiteren Ziele sind: (1) Die Entwicklung und Implementierung eines geeigneten MBE-Wachstumsverfahrens zur Herstellung der erforderlichen CoSi2/CaF2-Mehrfachschichten. (2) Die Herstellung, Charakterisierung und Optimierung von RT-Dioden und -Transistoren in diesem Materialsystem und ihre Bewertung als Schaltelemente für die Nanoelektronik. (3) Die theoretische und experimentelle Analyse alternativer Materialsysteme.