Utilization of nano-clusters in MOSFET-Gate-Insulators for the realization of non-volatile and volatile tunnel-memories

利用 MOSFET 栅极绝缘体中的纳米团簇实现非易失性和易失性隧道存储器

• 批准号: 5360594
• 负责人: Professor Dr. Karl R. Hofmann
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2008-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5360594?language=en
• 关键词: Utilization; nano; clusters; MOSFET; Gate

Das von S. Tiwari 1995 eingeführte Nanocluster-Speicher-Konzept der Ladungsspeicher auf Nanoclustern im Gate-Isolator von MOSFETs besitzt das Potenzial zur Realisierung neuartiger nichtflüchtiger und flüchtiger Speicher (EEPROMS, DRAMS) mit wesentlich verbesserten Speichereigenschaften und erweiterter Skalierbarkeit. Die Funktion von Nanocluster-Speichern mit Si- oder Ge-Nanoclustern wurde bereits demonstriert. Die geeignetsten technologischen Herstellungsverfahren, Cluster-Materialien und Tunnelstrukturen sowie die physikalischen Speichermechanismen und die erreichbaren Leistungsmerkmale sind jedoch noch weitgehend ungeklärt. Ge-Nanocluster-Speicher erscheinen hinsichtlich ihres Speicherverhaltens besonders aussichtsreich, wurden jedoch im Gegensatz zu Si-Nanocluster-Speichern bisher noch nicht mit chemischen Gasphasen-Abscheidungsverfahren (CVD) hergestellt. Letztere besitzen im Vergleich zu den bisher eingesetzten Verfahren (Implantation, Oxidation von SiGe) den Vorteil einer exakten Einstellung des Tunnelisolators und der Cluster-Isolator-Grenzfläche ohne Beeinträchtigung der Bauelementeigenschaften. Das Ziel dieses Forschungsvorhabens ist es, erstmals Ge-Nanocluster-Speicherstrukturen zu realisieren, die durch CVD-Keimung von Ge-Clustern auf verschieden präparierten Tunnelisolatoren hergestellt werden, und diese mit CVD-hergestellten Si-Nanocluster-Speichern zu vergleichen. Die Untersuchungen konzentrieren sich auf die grundlegende Herstellungstechnologie und physikalische Eigenschaften der Speicherelemente und die erreichbaren Leistungsmerkmale.

Das von S.Tiwari 1995 Eingeführe NanoCluster-Speicher-Konzept der Ladungs Speicher auf NanoClustein im-Isolator von MOSFETs be ititzt das Potenzial zur Realisierung Neuartiger NichtflüchTiger and FlüchTiger Speicher(EEPROM，DRAM)MIT将在此提供语言服务。纳米团簇的功能--Speichern MIT-Oder GE-NanoClustein wurde bereert.他们的技术是：集群-材料和隧道技术，他们的物理基础是机械和机械，而机械设备和机械设备则是机械设备。Ge-Nanogroup-Speicher erscheinen hinsichtlich hres Speicherverhalten beonder ausicichtsreich，Wurden Jedoch im Gegensatz zu Si-NanoClusterh-Speichern Bisher noch nch MIT Chemischen Gathasen-Abscheidungsverfahren(CVD)hersterellt.Letztere beitzen im Vergleich zu den Bisher eingesetzten Verfahren(植入、氧化von SiGe)den Vorteil einer Exakten Einstellung des TunnelIsolator and der簇-Isolator-Grizfläche ohne beeinträchtigung der Bauelementeigenschaften。过去的Ge-NanoClusteren-Speicherstrukturen zu Realisieren，Das Ziel Dieses es Forschungsvorhabens ist es，erstmals Ge-NanoCluturen-Speicherstrukturen zu Realisieren，das Ziel Dieses es Forschungsvorhabens ist es es，erstmals Ge-NanoCluus-Speicherstrukturen zu Realisieren，Das Ziel Dieses es Forschungsvorhabens ist es es，erstmals Ge-NanoClusteren-Speicherstrukturen zu Realisieren，Das Ziel Dieses es Forschungsvorhabens ist es es，erstmals Ge-NanoCluus-Speicherstrukturen zu Realisieren，Das Zel Dieses es deses es从技术和物理的角度来看，这是一种特殊的技术和经济手段。