Germanium-MOSFETs mit Gatedielektrikum hoher Dielektrizitätskonstante auf Siliziumsubstraten

硅衬底上具有高介电常数栅极电介质的锗 MOSFET

• 批准号: 46424410
• 负责人: Professor Dr. Karl R. Hofmann
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2011-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/46424410?language=en
• 关键词: Germanium; MOSFETs; mit; Gatedielektrikum; hoher

Die fortschreitende Miniaturisierung in der CMOS-Technologie erfordert neue MOSFET-Kanalmaterialien mit hohen Beweglichkeiten in Verbindung mit Gateisolatoren hoher Dielektrizitätskonstanten ("high-k" Dielektrika).- Diese sollen ausreichend niedrige Leckstromdichten, niedrige Grenzflächen- und Volumentrapdichten und weitere technologische Eigenschaften aufweisen, die ihre Verwendung in Bauelementen und Schaltungen ermöglichen. Ein aussichtsreicher und derzeit intensiv erforschter Ansatz sind auf Si-Substrate integrierte hochbewegliche Ge-MOSFETs mit einem high-k Gatedielektrikum, dessen zum klassischen SiO2 kapazitiv äquivalente Dicke (CET) in zukünftigen Technologiegenerationen unter 1 nm liegen sollte. Die Frage eines für Ge-MOSFETs gut geeigneten high-k Gatedielektrikums ist noch nicht beantwortet. In diesem Projekt wird der Gateisolator HfO2 als high-k Gatedielektrikum für Ge-MOSFETs untersucht, wobei ein speziell entwickelter Hf-Sputterprozess eingesetzt wird. Die bisherigen Ergebnisse zeigen in Gatestacks mit CET ≥ 2,5 nm sehr gute elektrische Eigenschaften, die auf ein hervorragendes Anwendungspotential hinweisen. Insbesondere wurden im Vergleich zu anderen publizierten Verfahren die bisher niedrigste HfO2/Ge Grenzflächentrapdichte von 5,7∙1010∙eV-1cm-2 erzielt, die bereits mit SiO2/Si vergleichbar ist. Das Ziel der beantragten Projektfortsetzung ist die Demonstration der Einsetzbarkeit des gesputterten Gateisolators HfO2 im zukünftig erforderlichen CET-Bereich unter 1nm. Dies erfordert die Lösung wichtiger ausstehender Fragen, insbesondere der Reduktion der derzeit noch zu dicken HfO2/Ge Zwischenschicht. Zur Charakterisierung der elektrischen Gatestack-Eigenschaften sollen MOS-Strukturen und n- und p-Kanal MOSFET-Teststrukturen vornehmlich auf Geschichten auf Si-Substraten mit surfactant-modifizierter Epitaxie hergestellt werden.

De fortschreitende Miniaturisierung in der Cmos-Technologie erfordert Neue MOSFET-KanalyMATERIAL MIT Hohen Beweglichkeiten in Verbindung MIT Gatesolatoren Hoher Dielektrizitätskonstanten(“High-k”Dielektriatanten).-Diese Sollen aureichend niedrige Leckstromdichten，niedrige GrizfläChen-und VolumentRapdichten and Weitere Technology ische Eigenschaften aufften aufisen，die ire Verwendung in Bauelen and SchalTunergenöglichen.-Diese Sollen aureichend niedrige Leckstromdichten，niedrige GrizfläChen-und Volumentrapdicdhten and weitere Technology ische Eigenschaften aufften aufisen，die ire Verwendung in Bauelen and SchalTunergenöglichen硅衬底集成商Hechbewegliche Ge-MOSFETs MIT einem einem High-k Gatedielektrikum，Dessen zum Klassischen SiO_2 kapazitiväquvalente Dicke(CET)in Zukünftigen Technologigiegenerationen in Zukünftigen Technologigiegerationen in Zukünftigen Technologigiegelationen in Zukünftigen Technologigiegenerationen 1 nm sollte.他说：“这是一件非常重要的事情。在门隔离器HfO2和高k栅极的Ge-MOSFET中，我们不能使用这种器件，而不能使用Wickelter HF-Sputterprozess Eingesetzww。在Gatestack MIT CET≥2，5 nm sehr gute elektrische Eigenschaften，die auf ein hervorraendes anwendung potential hinweisen中的Bisherigen ergebnisse zeigen。在5，7∙1010∙EV-1 cm-2 erzielt，SiO_2/Si Vergleichbar出版公司出版。Das Ziel der beantragten Projektfortsetzung是Einsetzbarkeit des gesputterten门隔离器HfO2 im Zukünftig erforderlichen CET-Bereich小于1 nm的芯片演示。死的是L和他的朋友们，不知道他们是在哪里工作的。Gatestack-Eigenschaften Sollen MOS-Strukturen and n-und p-Kanal MOSFET-Teststrukturen vornehmlich auf Geschichten auf Si-Substren MIT表面活性剂-改性剂外延。