Far-lnfrared BIB Detector Fabrication by Wafer-Bonding Technique

利用晶圆键合技术制造远红外 BIB 探测器

• 批准号: 22360025
• 负责人: DOI Yasuo
• 金额: $ 5.91万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360025/
• 关键词: テラヘルツ; 遠赤外線; ウェファボンディング; BIB検出器; ウエファボンディング

The Ge extrinsic photoconductor are among the most sensitive as well aslarge-formatted array detectors that are sensitive to the tera-herts wavebands and thus areapplicable for may scientific and industrial measurements. We have developed Ge BIBphotoconductor detectors by utilising the wafer-bonding technique and have confirmed the feasibilityof the large-scale low-cost fabrication of the photoconductor detectors potentially be sensitive to100--300μmwavebands.

锗非本征光电导体是对太赫兹波段灵敏度最高的大尺寸阵列探测器之一，因此适用于许多科学和工业测量。我们利用圆片键合技术研制了Ge BIBTM光电导体探测器，并证实了大规模低成本制备100 - 300纳米波段灵敏光电导体探测器的可行性。

项目成果

ウェファボンディングによる遠赤外線Ge:Ga BIB型検出器の開発(3)

利用晶圆键合开发远红外Ge:Ga BIB型探测器(3)

• 发表时间: 2010
• 作者: 澤山慶博;他
• 通讯作者: 他

Wafer-bonded Ge:Ga blocked-impurity-band far-infrared detectors, Proceedings of Infセared Millimeter and Terahertz Waves(IRMMW-THz)

晶圆键合 Ge:Ga 阻挡杂质带远红外探测器，Inf Seared 毫米波和太赫兹波 (IRMMW-THz) 论文集

• DOI: 10.1109/icimw.2010.5612767
• 发表时间: 2010
• 期刊: 201035th International Conference on In-ared, Millimeter and Terahertz
• 作者: Sawayama;YりDoi;Y.;Kurayama;R.;Higurashi;E.;Patrashin;M.;Hosako,
• 通讯作者: Hosako,

Wafer-bonded Ge:Ga blocked-impurity-band far-infrared detectors

晶圆键合 Ge:Ga 阻挡杂质波段远红外探测器

• 发表时间: 2010
• 期刊: Proceedings of Infrared Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2010
• 作者: Sawayama;Y.;et al
• 通讯作者: et al

ウェファボンディングによる遠赤外線Ge:GaBIB型検出器の開発(3)

利用晶圆键合开发远红外Ge:GaBIB型探测器(3)

• 发表时间: 2010
• 作者: F.Kawata;R.Miyazaki;G.Terakado;K.Watanabe;H.;澤山慶博
• 通讯作者: 澤山慶博

低温接合に基づく異種材料集積技術と三次元構造光マイクロシステムへの応用

基于低温键合的异种材料集成技术及其在三维结构光学微系统中的应用

• 发表时间: 2012
• 作者: 四方俊幸;前田朋子;遊佐真一;日暮栄治
• 通讯作者: 日暮栄治