Highly spin polarized quantum dots with long spin relaxation time for future circularly polarized light emitting diodes
用于未来圆偏振发光二极管的具有长自旋弛豫时间的高度自旋偏振量子点
基本信息
- 批准号:22360032
- 负责人:
- 金额:$ 12.9万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
For the realization of the circularly polarized light emitting diode, spin polarizations and spin relaxation times of some III-V compound semiconductors were investigated. InAs columnar quantum dots showed 3.42 ns-spin relaxation at 1.06 micron meter. The highly uniform InAs quantum dots exhibited the stable eliptical polarization caused by the in-plane anisostropies of the dot shape and strain distribution. Highly Si doped GaInP showed 210 ns-spin relaxation which is one of the longest spin relaxations ever observed.
为了实现圆极化发光二极管,研究了一些III-V化合物半导体的自旋极化和自旋弛豫时间。InAs柱状量子点在1.06微米处表现出3.42 ns的自旋弛豫。高度均匀的InAs量子点表现出由点形状和应变分布的面内各向异性引起的稳定的椭圆极化。高Si掺杂的GaInP表现出210 ns的自旋弛豫,这是迄今为止观察到的最长的自旋弛豫之一。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
GaAs/AlGaAs 二重量子井戸のスピン緩和の観測
GaAs/AlGaAs双量子阱中自旋弛豫的观察
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:笹山和俊,山口亮,中西奏太,小柳慶継;武藤俊一,竹内淳
- 通讯作者:武藤俊一,竹内淳
Ge 基板上に成長させたInGaAs のスピン緩和の観測(10-300 K)
Ge 衬底上生长的 InGaAs 自旋弛豫观察(10-300 K)
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:牛見健則;中田大海;石塚俊裕;S. L. Lu;J. R. Dong;竹内淳
- 通讯作者:竹内淳
Observation of optical anisotropy of highly uniform InAs quantum dots
高度均匀InAs量子点光学各向异性的观察
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2012.12.102
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:M. Uemura;J. Ohta;R. Yamaguchi;K. Yamaguchi;A. Tackeuchi
- 通讯作者:A. Tackeuchi
時間分解ポンププローブ反射計測による高均一InAs量子ドットのスピン緩和の観測
使用时间分辨泵浦探针反射测量观察高度均匀 InAs 量子点中的自旋弛豫
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:笹山和俊;太田潤;貫井貴夫;中西奏太;山口浩一;竹内淳
- 通讯作者:竹内淳
Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Si-doped GaInP epilayers grown on Germanium
- DOI:10.1063/1.4737611
- 发表时间:2012-07
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:W. He;S. L. Lu;D. Jiang;J. Dong;A. Tackeuchi;H. Yang
- 通讯作者:W. He;S. L. Lu;D. Jiang;J. Dong;A. Tackeuchi;H. Yang
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