Realization of Long-wavelength Laser Transistor for New GenerationPhotonic Networks
Realization of Long-wavelength Laser Transistor for New GenerationPhotonic Networks
新一代光子网络长波长激光晶体管的实现
批准号：
22360138
负责人：
NISHIYAMA Nobuhiko
金额：
$11.81万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
中文摘要
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英文摘要
Theoretical analysis and fabrication of a transistor laser (TL) using AlGaInAs quantum wells and a buried-hetero (BH) structure have been studied. First, the fabrication technology of the BH structure for AlGaInAs was studied and state-of-the-art AlGaInAs/InP-BH LDs were demonstrated. This technology enabled CW lasing operation of AlGaInAs TLs for the first time with the threshold emitter current of 38 mA. This TL showed output power control by base-collector voltage change.
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DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Sakai Y, Inoue S, Harada A, Shimazaki K and Takagi S, 船水尚行, Kazuhiko Komatsu, 李智恩]
通讯作者：
李智恩
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晶体管激光器阻尼效应的理论分析
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DOI：
10.1587/elex.9.1792
发表时间：
2012
期刊：
IEICE Electronics Express
影响因子：
0.8
作者：
[Eiji Iwata, Yuki Ohara, Takafumi Fukushima, Kang-Wook Lee, Mitsumasa Koyanagi, Tetsu Tanaka, M. Shirao]
通讯作者：
M. Shirao
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N.Nishiyama]
通讯作者：
N.Nishiyama
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J.Yang, K.Kan, N.Naruse, Y.Yoshida, K.Tanmura, J.Urakawa, J.Lee]
通讯作者：
J.Lee
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提出采用表面激活键合具有 AlInAs 氧化物电流限制层的 GaInAsP/SOI 混合激光器
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DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takahashi K, Hayashi K, Kinoshita T., R.Osabe]
通讯作者：
R.Osabe
共 118 条
Realization of high performance long wavelength laser transistors
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批准号：19686023
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$15.97万
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财政年份：2007
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负责人：NISHIYAMA Nobuhiko
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依托单位：
海外基金