Evaluation of high frequency properties of transparent zinc oxide thin films and their application
透明氧化锌薄膜高频性能评价及其应用
基本信息
- 批准号:22360277
- 负责人:
- 金额:$ 12.23万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2010
- 资助国家:日本
- 起止时间:2010 至 2012
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In order to promote modern communications equipment and communication networks, issues for miniaturization and inhibition of interference in high-frequency module, such as antenna, grew increasingly apparent. To overcome them, we are developing transparent device for the high-frequency applications. Adapting this concept, space for display can be used for mounting the transparent high-frequency devices. In this study, properties at high-frequencyof transparent thin films, such as ZnO of which studies had not been enough, are evaluated, and optimize structure of the transparent device at high-frequency is proposed.
为了促进现代通信设备和通信网络的发展,天线等高频模块的小型化和抑制干扰的问题日益突出。为了克服这些问题,我们正在开发用于高频应用的透明器件。采用这种概念,显示空间可用于安装透明高频器件。本研究对透明薄膜在高频下的性能进行了评价,并对高频下透明器件的结构进行了优化。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Oxygen Tracer Diffusion in Magnesium-doped ZnO Ceramics
氧示踪剂在镁掺杂 ZnO 陶瓷中的扩散
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:I.Sakaguch;K.Matsumoto;T.Ohgaki;Y.Adachi;K.Watanabe;N.Ohashi;H.Haneda
- 通讯作者:H.Haneda
Diffusion behavior in thin film with wurtzite crystal structure
纤锌矿晶体结构薄膜中的扩散行为
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Haneda;N.Ohashi;I.Sakaguchi;Y.Adachi;T.Ohgaki;K.Matsumoto
- 通讯作者:K.Matsumoto
Defect structure of zinc oxide and related properties
氧化锌的缺陷结构及相关性能
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Haneda;I.Skaguchi;N.Ohashi;S.Hishita
- 通讯作者:S.Hishita
Polarity control of ZnO films on sapphire and glass substrates
蓝宝石和玻璃基板上 ZnO 薄膜的极性控制
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Haneda;K.Watanabe;K. Matsumoto;N. Saito(Shinjo);T.Ohgaki;Y.Moriura;I.Sakaguchi;Y.Adachi;N.Ohashi;H.Haneda;Y.Adachi
- 通讯作者:Y.Adachi
溶液プロセスによる透明ZnO膜の堆積と紫外線照射による導電性の変化
溶液法沉积透明ZnO薄膜并通过紫外线照射改变电导率
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大橋直樹;島村清史;谷口孝志;渡邊賢司;坂口勲;大垣武;菱田俊一;北村健二;羽田肇;Noriko Saito;Isao Sakaguchi;Yutaka Adachi;Noriko Saito;Naoki Ohashi;Yutaka Adachi;Ken Watanabe;Yutaka Adachi;安達 裕;齋藤 紀子;我田 元;洪 正洙
- 通讯作者:洪 正洙
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HANEDA Hajime其他文献
Electro-shape-memory effect in Mn-doped BaTi03 singel crystals and in-situ observation of the reversible domain switching
Mn掺杂BaTiO3单晶的电形状记忆效应及可逆畴切换的原位观察
- DOI:
- 发表时间:
2005 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
HANEDA Hajime;et. al.;Zhang Lixue,X.Ren - 通讯作者:
Zhang Lixue,X.Ren
Characterization of Pt/SrTiO3 : Nb junction showing resistance switching behavior
Pt/SrTiO3 的表征:Nb 结显示出电阻切换行为
- DOI:
- 发表时间:
2010 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Li JianYong;CHEN Jun;OKUSHI Hideyo;SAKAGUCHI Isao;SEKIGUCHI Takashi;HANEDA Hajime;OHASHI Naoki - 通讯作者:
OHASHI Naoki
Temperature dependent resistance switching behavior in Pt/Nb:SrTiO3 : Nb Schottky junction
Pt/Nb:SrTiO3 : Nb 肖特基结中温度依赖的电阻切换行为
- DOI:
- 发表时间:
2010 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Li JianYong;OHASHI Naoki;OKUSHI Hideyo;SAKAGUCHI Isao;HANEDA Hajime - 通讯作者:
HANEDA Hajime
Controlling point defects and the function of sensor materials
控制点缺陷和传感器材料的功能
- DOI:
- 发表时间:
2006 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
HANEDA Hajime;et. al. - 通讯作者:
et. al.
Characterization of Pt/SrTiO3 : Nb junctions by electron beam induced current
通过电子束感应电流表征 Pt/SrTiO3 : Nb 结
- DOI:
- 发表时间:
2010 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Li JianYong;CHEN Jun;OHASHI Naoki;OKUSHI Hideyo;SAKAGUCHI Isao;SEKIGUCHI Takashi;HANEDA Hajime - 通讯作者:
HANEDA Hajime
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Synthesis of compound-semiconductor superlattice structures with isotopic modulation and their properties
同位素调制化合物半导体超晶格结构的合成及其性能
- 批准号:
19201019 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 12.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)