Oxygen vacancy induced changes in electronic properties and electric field control of transport properties in correlated electron oxides

氧空位引起电子特性的变化以及相关电子氧化物中输运特性的电场控制

• 批准号: 22360280
• 负责人: SAWA Akihito
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360280/
• 关键词: 表面・界面; 強相関エレクトロニクス; セラミックス; 表面・界面物性

From the cell-area dependence of the resistive switching properties in Pt/Nb-doped SrTiO_3memory cells, we found that the electromigration of oxygen vacancy occurs mainly at the edge of the memory cell. In order to realize the electric-field control of tr

从Pt/Nb掺杂SrTiO_3存储单元的阻变特性与单元面积的关系中发现，氧空位的电迁移主要发生在存储单元的边缘。为了实现对树的电场控制，

项目成果

Impacts of Oxygen Vacancy on Band Diagrams and Resistive Switching in Preovskite-Oxide Junctions

氧空位对预钛矿-氧化物结能带图和电阻开关的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 山下清隆;坂元尚紀;符徳勝;木口賢紀;篠崎和夫;鈴木久夫;脇谷尚樹;澤彰仁
• 通讯作者: 澤彰仁

Electric field control of the metal-insulator transition in electrolyte-gated (Nd,Sm)NiO3 thin films

电解质门控 (Nd,Sm)NiO3 薄膜中金属-绝缘体转变的电场控制

• 发表时间: 2011
• 作者: 浅沼周太郎;向平華;山田浩之;佐藤弘;井上公;赤穂博司;澤彰仁;上野和紀;下谷秀和;Yuan Hongtao;川崎雅司;岩佐義宏
• 通讯作者: 岩佐義宏

A possible model of resistive switching mechanism in Ti/Pr_<0.5>Ca_<0.5>MnO_3 junctions

Ti/Pr_<0.5>Ca_<0.5>MnO_3结阻变机制的一种可能模型

• 发表时间: 2011
• 作者: 浅沼周太郎;山田浩之;赤穗博司;澤彰仁
• 通讯作者: 澤彰仁

Resistive Switching Memory Based on Ferroelectric Polarization Reversal at Schottky-like BiFeO3 Interfaces

基于类肖特基 BiFeO3 接口铁电极化反转的电阻开关存储器

• DOI: 10.1557/opl.2012.933
• 发表时间: 2012
• 期刊: Materials Research Society Symposium Proceedings
• 作者: A. Tsurumaki-Fukuchi;H. Yamada;and A. Sawa
• 通讯作者: and A. Sawa

Resistive Switching Effect in Conductive Ferroelectric Oxides

导电铁电氧化物中的电阻开关效应

• 作者: Noriko Nitta;Kazuhiro Yokoyama and Masafumi Taniwaki;澤彰仁
• 通讯作者: 澤彰仁