Oxygen vacancy induced changes in electronic properties and electric field control of transport properties in correlated electron oxides
Oxygen vacancy induced changes in electronic properties and electric field control of transport properties in correlated electron oxides
氧空位引起电子特性的变化以及相关电子氧化物中输运特性的电场控制
批准号：
22360280
负责人：
SAWA Akihito
金额：
$12.06万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
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英文摘要
From the cell-area dependence of the resistive switching properties in Pt/Nb-doped SrTiO_3memory cells, we found that the electromigration of oxygen vacancy occurs mainly at the edge of the memory cell. In order to realize the electric-field control of tr
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Impacts of Oxygen Vacancy on Band Diagrams and Resistive Switching in Preovskite-Oxide Junctions
氧空位对预钛矿-氧化物结能带图和电阻开关的影响
氧空位对预钛矿-氧化物结能带图和电阻开关的影响
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山下清隆, 坂元尚紀, 符徳勝, 木口賢紀, 篠崎和夫, 鈴木久夫, 脇谷尚樹, 澤彰仁]
通讯作者：
澤彰仁
Electric field control of the metal-insulator transition in electrolyte-gated (Nd,Sm)NiO3 thin films
电解质门控 (Nd,Sm)NiO3 薄膜中金属-绝缘体转变的电场控制
电解质门控 (Nd,Sm)NiO3 薄膜中金属-绝缘体转变的电场控制
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[浅沼周太郎, 向平華, 山田浩之, 佐藤弘, 井上公, 赤穂博司, 澤彰仁, 上野和紀, 下谷秀和, Yuan Hongtao, 川崎雅司, 岩佐義宏]
通讯作者：
岩佐義宏
A possible model of resistive switching mechanism in Ti/Pr_<0.5>Ca_<0.5>MnO_3 junctions
Ti/Pr_<0.5>Ca_<0.5>MnO_3结阻变机制的一种可能模型
Ti/Pr_<0.5>Ca_<0.5>MnO_3结阻变机制的一种可能模型
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[浅沼周太郎, 山田浩之, 赤穗博司, 澤彰仁]
通讯作者：
澤彰仁
Resistive Switching Memory Based on Ferroelectric Polarization Reversal at Schottky-like BiFeO3 Interfaces
基于类肖特基 BiFeO3 接口铁电极化反转的电阻开关存储器
基于类肖特基 BiFeO3 接口铁电极化反转的电阻开关存储器
DOI：
10.1557/opl.2012.933
发表时间：
2012
期刊：
Materials Research Society Symposium Proceedings
影响因子：
--
作者：
[A. Tsurumaki-Fukuchi, H. Yamada, and A. Sawa]
通讯作者：
and A. Sawa
Resistive Switching Effect in Conductive Ferroelectric Oxides
导电铁电氧化物中的电阻开关效应
导电铁电氧化物中的电阻开关效应
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Noriko Nitta, Kazuhiro Yokoyama and Masafumi Taniwaki, 澤彰仁]
通讯作者：
澤彰仁
共 31 条
Development of HfO2-based ferroelectric tunneling junctions for artificial synapses
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批准号：18H01484
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.23万
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财政年份：2018
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负责人：SAWA Akihito
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依托单位：