Development of HfO2-based ferroelectric tunneling junctions for artificial synapses
Development of HfO2-based ferroelectric tunneling junctions for artificial synapses
用于人工突触的 HfO2 基铁电隧道结的开发
批准号：
18H01484
负责人：
SAWA Akihito
金额：
$11.23万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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Highly Stable Artificial STDP Synapse Based on Oxide FET
基于氧化物 FET 的高度稳定人工 STDP 突触
基于氧化物 FET 的高度稳定人工 STDP 突触
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Stoliar Pablo, Schulman Alejandro, 鬼頭 愛, 澤 彰仁, 井上 公]
通讯作者：
井上 公
Effects of Interfaces and Electrode Materials on Ferroelectric Resistive Switching Characteristics
界面和电极材料对铁电电阻开关特性的影响
界面和电极材料对铁电电阻开关特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[澤彰仁，山田 浩之，豊崎 喜精, Stoliar Pablo]
通讯作者：
Stoliar Pablo
DOI：
10.1063/1.5046866
发表时间：
2018-09
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[H. Yamada;Y. Toyosaki;A. Sawa]
通讯作者：
H. Yamada;Y. Toyosaki;A. Sawa
酸化物界面物性と電子デバイス応用
氧化物界面物理性质及电子器件应用
氧化物界面物理性质及电子器件应用
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[澤彰仁，山田 浩之， Stoliar Pablo, 豊崎 喜精, 古田 淳士・野村 凌平・ 棚橋 秀行, 澤彰仁，山田 浩之]
通讯作者：
澤彰仁，山田 浩之
BaTiO3-FTJの抵抗変化メモリ効果とシナプス応用
BaTiO3-FTJ的阻变记忆效应及突触应用
BaTiO3-FTJ的阻变记忆效应及突触应用
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[澤彰仁，山田 浩之， Stoliar Pablo, 豊崎 喜精]
通讯作者：
豊崎 喜精
共 7 条
Oxygen vacancy induced changes in electronic properties and electric field control of transport properties in correlated electron oxides
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批准号：22360280
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.06万
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财政年份：2010
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负责人：SAWA Akihito
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依托单位：
海外基金