Development of HfO2-based ferroelectric tunneling junctions for artificial synapses

用于人工突触的 HfO2 基铁电隧道结的开发

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Highly Stable Artificial STDP Synapse Based on Oxide FET
基于氧化物 FET 的高度稳定人工 STDP 突触
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Stoliar Pablo;Schulman Alejandro;鬼頭 愛;澤 彰仁;井上 公
  • 通讯作者：
    井上 公
Effects of Interfaces and Electrode Materials on Ferroelectric Resistive Switching Characteristics
界面和电极材料对铁电电阻开关特性的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    澤彰仁，山田 浩之，豊崎 喜精;Stoliar Pablo
  • 通讯作者：
    Stoliar Pablo
Growth and ferroelectric properties of yttrium-doped hafnium oxide/indium-tin oxide polycrystalline heterostructures with sharp and uniform interfaces
  • DOI：
    10.1063/1.5046866
  • 发表时间：
    2018-09
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    H. Yamada;Y. Toyosaki;A. Sawa
  • 通讯作者：
    H. Yamada;Y. Toyosaki;A. Sawa
酸化物界面物性と電子デバイス応用
氧化物界面物理性质及电子器件应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    澤彰仁，山田 浩之， Stoliar Pablo;豊崎 喜精;古田 淳士・野村 凌平・ 棚橋 秀行;澤彰仁，山田 浩之
  • 通讯作者：
    澤彰仁，山田 浩之
BaTiO3-FTJの抵抗変化メモリ効果とシナプス応用
BaTiO3-FTJ的阻变记忆效应及突触应用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    澤彰仁，山田 浩之， Stoliar Pablo;豊崎 喜精
  • 通讯作者：
    豊崎 喜精
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